[发明专利]化学传感器

权利要求书

1.一种传感器，包括：

记忆设备，该记忆设备具有第一电极和第二电极；以及

耦合到所述第一电极的第一化学传感层，该第一化学传感层被设置由此在使用中接近所述化学传感层的离子提供静电势以改变所述记忆设备的特性。

2.根据权利要求1所述的传感器，其中，所述第一化学传感层电连接到所述第一电极，由此接近所述化学传感层的电荷在所述记忆设备的所述第一电极与所述第二电极之间提供静电势。

3.根据权利要求1所述的传感器，其中，所述第一化学传感层静电耦合到所述第一电极，由此接近所述化学传感层的电荷在所述记忆设备的所述第一电极与所述第二电极之间提供静电势。

4.根据权利要求1所述的传感器，其中，所述记忆设备是忆阻器、忆容器或忆感器中的一者。

5.根据上述任一项权利要求所述的传感器，该传感器还包括用于确定所述记忆设备的特性的第一电路。

6.根据权利要求5所述的传感器，其中，所述第一电路包括用于向所述记忆设备提供信号的装置，该信号基本上不改变所述记忆设备的特性；以及用于根据所述信号的特性确定所述记忆设备的特性的装置。

7.根据上述任一项权利要求所述的传感器，该传感器还包括用于设定所述记忆设备的特性的第二电路。

8.根据上述任一项权利要求所述的传感器，其中，所述记忆设备的高度被测量为所述第一电极与所述第二电极或第二电极之间的距离，该高度小于大约100纳米，优选小于大约50nm。

9.根据上述任一项权利要求所述的传感器，其中，所述化学传感层被设置用于检测以下离子中的一种或多种：H+、K+、Na+或神经递质。

10.一种根据上述任一项权利要求所述的传感器的阵列，其中该传感器的阵列被集成在基底上。

11.一种用于检测分析物的方法，该方法包括步骤：

提供如权利要求1至9任意一项权利要求所述的传感器；

提供接近所述化学传感层的待检测样本；

观测记忆元件的状态；以及

通过将观测到的所述记忆设备的状态与之前状态进行比较来确定所述样本的特性。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述样本的特性是存在分析物或不存在分析物。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述样本的特性是分析物的数量。

14.根据权利要求11-13中任意一项所述的方法，其中，所述观测到的状态是所述忆阻器或忆阻器的电阻。

15.根据权利要求11-14中任意一项所述的方法，其中，所述检测所述记忆设备的特性的步骤包括在所述第一电极和第二电极间提供询问信号，该询问信号优选是高频询问信号。

16.根据权利要求11-15中任意一项所述的方法，该方法还包括步骤：

在所述记忆设备的所述第一电极与第二电极间施加电压差以设定所述记忆设备的状态。

17.根据权利要求11-16中任意一项所述的方法，其中，所述分析物是从接近所述化学传感层的一个或多个神经元中释放的神经递质。

18.根据权利要求11-16中任意一项所述的方法，所述分析物是由于在核苷酸链的末端处插入一个或多个核苷酸而释放或消耗的离子。

19.一种制造化学传感器的方法，该方法包括：

在表面上设置第二电极；

将一个或多个活性层设置在所述第二电极上；

将第一电极设置在所述一个或多个活性层上；以及

将化学敏感层与所述第一电极耦合。