[发明专利]薄膜晶体管基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括：

基板；

薄膜晶体管，其具有设置在所述基板上的栅极电极、以覆盖该栅极电极的方式设置的栅极绝缘膜、设置在该栅极绝缘膜的上层且在与所述栅极电极相对的位置具有沟道部的氧化物半导体膜、以及在该氧化物半导体膜上隔着所述沟道部彼此分离设置的源极电极和漏极电极；

层间绝缘膜，其以覆盖所述薄膜晶体管的方式设置在所述栅极绝缘膜的上层，且具有到达所述漏极电极的第一接触孔；和

像素电极，其设置在所述层间绝缘膜上，通过所述第一接触孔与所述漏极电极电连接，

其中，

所述漏极电极具有由第一导电膜和设置在该第一导电膜的上层且包括铝的第二导电膜层叠而成的结构，所述第二导电膜与所述第一接触孔分离，由此在两者之间形成有与该第一接触孔连通的空隙部，

所述像素电极被设置成与所述漏极电极中的所述第二导电膜不接触。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：

还包括辅助电容元件，其具有：在所述基板上与所述栅极电极设置于同一层的下部电极；以覆盖该栅极电极和该下部电极的方式设置的所述栅极绝缘膜；设置在该栅极绝缘膜的上层的与所述下部电极相对的位置且包括氧化物半导体的蚀刻阻挡层；和在该蚀刻阻挡层上与所述漏极电极设置于同一层的上部电极，

所述辅助电容元件被所述层间绝缘膜覆盖，该层间绝缘膜还具有到达所述蚀刻阻挡层和所述上部电极的第二接触孔，

所述上部电极具有由第一导电膜和设置在该第一导电膜的上层且包括铝的第二导电膜层叠而成的结构，所述第二导电膜与所述第二接触孔分离，由此在两者之间形成有与该第二接触孔连通的空隙部，

在所述第二接触孔的表面，以与所述上部电极电连接而不与该上部电极中的所述第二导电膜接触的方式设置有所述像素电极。

3.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：

所述第一导电膜包含高熔点金属膜。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：

所述漏极电极具有除了所述第一导电膜和第二导电膜之外还在该第二导电膜的上层设置有第三导电膜的结构。

5.如权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：

所述漏极电极具有除了所述第一导电膜和第二导电膜之外还在该第二导电膜的上层设置有第三导电膜的结构，

所述上部电极具有除了所述第一导电膜和第二导电膜之外还在该第二导电膜的上层设置有第三导电膜的结构。

6.一种液晶显示装置，其特征在于，包括：

权利要求1～5中任一项所述的薄膜晶体管基板；

与所述薄膜晶体管基板相对配置的对置基板；和

在所述薄膜晶体管基板与所述对置基板之间设置的液晶层。

7.一种薄膜晶体管基板的制造方法，用于制造权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，包括：

形成薄膜晶体管的薄膜晶体管形成工序，其中所述薄膜晶体管具有设置在所述基板上的栅极电极、以覆盖该栅极电极的方式设置的栅极绝缘膜、设置在该栅极绝缘膜的上层且在与该栅极电极相对的位置具有沟道部的氧化物半导体膜、以及在该氧化物半导体膜上以隔着该沟道部彼此分离的方式层叠设置有第一导电膜和其上层的第二导电膜的源极电极和漏极电极；

层间绝缘膜形成工序，以将所述薄膜晶体管形成工序中形成的薄膜晶体管覆盖的方式在所述栅极绝缘膜的上层形成层间绝缘膜；

第一蚀刻工序，在所述层间绝缘膜形成工序之后对所述层间绝缘膜进行干式蚀刻，形成从所述层间绝缘膜到达所述漏极电极的第一接触孔，使得所述第二导电膜露出到表面；

第二蚀刻工序，对所述第一蚀刻工序中形成的所述第一接触孔，使用对铝的氧化物半导体的选择比高的蚀刻液进行湿式蚀刻，使该第二导电膜与所述第二接触孔分离，由此在两者之间形成与该第一接触孔连通的空隙部；和

像素电极形成工序，在包括所述第二蚀刻工序中设置了所述空隙部的所述层间绝缘膜的表面和所述第一接触孔的表面的区域形成导电膜，以与所述漏极电极电连接而不与该漏极电极中的所述第二导电膜接触的方式形成像素电极。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于：

所述第二蚀刻工序中使用的蚀刻液是氨水。