[发明专利]制造纳米压印模具的方法、利用由此制造的纳米压印模具制造发光二极管的方法以及由此制造的发光二极管

权利要求书

1.一种制造纳米压印模具的方法，所述方法包括以下步骤：

在氮化物半导体基板的一个表面上形成支承所述氮化物半导体基板的支承基板；

通过湿法刻蚀在所述氮化物半导体基板的另一表面上形成金字塔形的纳米图案，在所述湿法刻蚀中，将包括所述支承基板的所述氮化物半导体基板浸入从氢氧化钙溶液和氢氧化钠溶液中选择的一种刻蚀剂中，以在所述氮化物半导体基板上照射紫外线；

以纳米压印的方式将形成在所述氮化物半导体基板的所述另一表面上的所述金字塔形的纳米图案转印到所述纳米压印模具上；以及

将上面形成有所述金字塔形的纳米图案的所述纳米压印模具与所述氮化物半导体基板分离开。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过调整所述刻蚀剂的摩尔浓度和湿法刻蚀时间中的至少一个来控制所述纳米压印模具的所述纳米图案。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述刻蚀剂具有约1M至约8M的摩尔浓度，并且所述湿法刻蚀时间为约1分钟到约60分钟。

4.一种制造发光二极管的方法，所述方法包括以下步骤：

在临时基板上形成n型氮化物半导体层、发光层和p型氮化物半导体层；

在所述p型氮化物半导体层上形成p型电极；

在所述p型电极上形成导电基板；

去除所述临时基板以露出所述n型氮化物半导体层；

在所述n型氮化物半导体层上形成纳米压印抗蚀剂层；

将通过权利要求1所述的方法制造的纳米压印模具按压在所述纳米压印抗蚀剂层上，以将形成在所述纳米压印模具上的所述金字塔形的纳米图案转印到所述纳米压印抗蚀剂层上；

将所述纳米压印模具与具有所述金字塔形的纳米图案的所述纳米压印抗蚀剂层分离开；以及

对具有所述金字塔形的纳米图案的所述纳米压印抗蚀剂层的一部分进行刻蚀以形成n型电极。

5.根据权利要求4所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在所述n型氮化物半导体层和所述纳米压印抗蚀剂层之间形成折射率调整层，其中，所述折射率调整层的折射率小于所述n型氮化物半导体层的折射率并大于所述纳米压印抗蚀剂层的折射率。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，通过顺序地层叠第一折射率调整层和第二折射率调整层来形成所述折射率调整层，其中，所述第一折射率调整层和所述第二折射率调整层通过彼此不同的折射率来折射从所述发光层发出的光。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一折射率调整层形成在所述n型氮化物半导体层上，并具有小于所述n型氮化物半导体层的折射率的折射率；并且所述第二折射率调整层形成在所述第一折射率调整层上，并具有小于所述第一折射率调整层的折射率并大于所述纳米压印层的折射率的折射率。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一折射率调整层包括从由ZnO、掺Al的ZnO、掺In的ZnO、掺Ga的ZnO、ZrO₂、TiO₂、SiO₂、SiO、Al₂O₃、CuOX和ITO组成的组中选出的至少一个。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二折射率调整层包括MgO基氧化物。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述第二折射率调整层的所述MgO基氧化物是通过在MgO中添加其它元素而形成的多元化合物。

11.根据权利要求4所述的方法，其中，通过在具有所述纳米图案的所述纳米压印抗蚀剂层被刻蚀以露出所述n型氮化物半导体层之后在经刻蚀的区域上沉积导电材料来形成所述n型电极。

12.一种通过权利要求4至11中任意一项所述的方法所制造的发光二极管。