[发明专利]光电子器件

权利要求书

1.光电子器件（1000），具有：

半导体芯片（40），和

至少部分地围绕半导体芯片（40）的荧光材料（44），

其中半导体芯片（40）在主波长小于约465nm的情况下发射短波的蓝色光谱范围中的初级辐射，并且

其中在主波长在约490nm至约550nm之间的情况下荧光材料（44）将初级辐射的至少一部分转变成绿色光谱范围中的长波的次级辐射，并且

其中由初级辐射和次级辐射构成的混合光具有波长在约460nm至约480nm之间的主波长，使得混合光的光通量比没有发光材料（44）具有460nm至480nm之间范围中的相等主波长的光电子器件情况下的光通量大高达130%。

2.根据权利要求1的光电子器件，其中由半导体芯片（40）发射的具有约440nm至约455nm范围中的主波长的初级辐射和由荧光材料（44）出发具有约490nm至约550nm范围中的主波长的次级辐射构成的混合光的色点在CIE图（100）中彼此相距如此近，使得在荧光材料浓度一致的情况下，混合光的主波长位于约2至4nm、尤其是3nm的主波长范围内。

3.根据权利要求2的光电子器件，其中发射混合光的光电子器件（1000）的色点在CIE图中位于通过不同的蓝色标准、尤其是EN 12966 C1（VMS）和EN 12966 C2（VMS）所张开的面上。

4.根据前述权利要求之一的光电子器件，其中荧光材料（44）以颗粒的形式分布在浇铸体（43）中。

5.根据前述权利要求之一的光电子器件，其中浇铸体（43）中的荧光材料（44）以小于3重量百分比、尤其是处于1.5重量百分比的浓度存在。

6.根据前述权利要求之一的光电子器件，其中荧光材料（44）以直接施加在半导体芯片（40）上的薄片布置。

7.根据前述权利要求之一的光电子器件，其中荧光材料（44）布置在围绕半导体芯片（40）封闭光电子器件的出射窗（52）处和/或该出射窗中。

8.根据前述权利要求之一的光电子器件，其中荧光材料（44）具有铕激活的蓝绿色硅酸盐、尤其是具有总化学式为Ca_8-x-yEu_xMn_yMg（SiO₄）₄Cl₂的氯硅酸盐，其中y≥0.03并且x=0.005和x=1.5。

9.根据前述权利要求之一的光电子器件，其中荧光材料（44）具有总化学式为（Ca，Sr，Ba）₂SiO₄：EU的铕激活的硅酸乙酯。

10.根据前述权利要求之一的光电子器件，其中荧光材料（44）具有总化学式为（Mg，Ca，Sr，Ba）Ga₂S₄：EU的铕激活的硫代镓。

11.根据前述权利要求之一的光电子器件，其中荧光材料（44）具有总化学式为Ba₃Si₆O₁₂N₂：EU的铕激活的SiONe。

12.根据前述权利要求之一的光电子器件，其中荧光材料（44）具有beta-SiAlON。

13.根据前述权利要求之一的光电子器件，其中荧光材料（44）具有高达70%的量子效率。