[发明专利]得自含硅烷的配制品的硅层的改性

权利要求书

1.用于制备安置在基材上的至少一层硅层的方法，其中所述硅层的至少一层在其表面上具有低氧化物结构或整个具有低氧化物结构，所述方法包括下述步骤：

(a) 提供基材，

(b) 提供含有至少一种硅化合物的配制品，

(c) 将所述配制品施加于所述基材上，

(d) 辐照和/或热处理涂覆的基材，

(e) 用氧处理在步骤(d)之后得到的层，所述氧是元素氧和/或O₃、二氧化碳、一种或多种含氧化合物或它们的混合物的形式，以纯的形式或以液体或气体混合物的形式，和

(f) 辐照和/或热处理在步骤(e)之后得到的经涂覆的基材，

形成主要由硅组成的且至少部分多晶型的层，该层在其表面上具有低氧化物结构，

或者，所述方法包括下述步骤：

(a') 提供基材，

(b') 提供配制品，所述配制品含有至少一种硅化合物，且含有氧，所述氧是元素氧和/或O₃、二氧化碳、一种或多种含氧化合物或它们的混合物的形式，以纯的形式或以液体或气体混合物的形式，

(c') 将所述配制品施加于所述基材上，和

(d') 辐照和/或热处理在步骤(c')之后得到的经涂覆的基材，

形成主要由硅组成的且至少部分多晶型的层，该层整个具有低氧化物结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，如下进行在步骤(e)中的用氧处理：

(i) 用元素氧和/或O₃、二氧化碳、一种或多种转化成气态形式的含氧化合物或它们的气体混合物供气所述层，或者

(ii) 将液体配制品施加于所述层上，所述液体配制品包含溶解的元素氧和/或O₃、溶解的二氧化碳、一种或多种含氧化合物或它们的混合物。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，将步骤(b)至(f)和/或(b')至(d')进行多次。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述氧的形式为：H₂O、醇、二元醇、三元醇、醛、酮、羧酸、碳酸酯或为通式R¹R²SiR³R⁴的含氧化合物，其中R¹至R⁴基团的至少一个具有结构-O-R，其中R = H、烷基、芳基或烷基芳基。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述基材是导电性的，或具有导电性的表面。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述硅化合物是硅-氢化合物，优选通式Si_nH_2n+2，其中n= 3-10，或Si_nH_2n，其中n= 4-8；硅卤化物；有机硅；寡聚的硅化合物Si_nR_2n+2或Si_nR_2n，其中n= 8-100，且R= H、卤素、有机基团，其中每个R可以独立地选择；或这些硅化合物的任意混合物。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述含硅配制品是液体配制品，所述液体配制品任选地包含溶剂，且其中所述涂覆溶液的粘度是1-2000 mPas。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，借助于浇注或刮涂，或选自印刷-或涂布方法、喷涂法、旋涂法、浸涂法的方法和选自弯月面涂布、狭缝涂布、狭缝式模头挤出涂布，和帘式涂布的方法。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在200-1000℃、优选地250-700℃、更优选地250-500℃的温度下，进行在步骤(d)、(d')和(f)中的一个、多个或所有步骤中的热处理。