[发明专利]电流控制用半导体元件以及使用其的控制装置

权利要求书

1.一种电流控制用半导体元件，其特征在于，

在同一半导体芯片上具有：驱动电流的主MOSFET；和与所述主MOSFET并联连接，用于分流所述主MOSFET的电流来进行电流检测的感应MOSFET，

所述主MOSFET使用具有多个沟道并且排列成一列的多指MOSFET而形成，

所述多指MOSFET的一部分的沟道用作所述感应MOSFET用的沟道，

并且，若设从所述多指MOSFET的中心到最远的沟道为止的距离为L，则将所述多指MOSFET的距中心最接近的位置的沟道用作所述感应MOSFET用的沟道。

2.根据权利要求1所述的电流控制用半导体元件，其特征在于，

构成所述多指MOSFET的MOSFET全部形成为相同图案。

3.根据权利要求2所述的电流控制用半导体元件，其特征在于，

在所述多指MOSFET的排列方向上，将所述多指MOSFET的距中心处于对称位置且最接近的位置的沟道用作所述感应MOSFET用的沟道。

4.根据权利要求1所述的电流控制用半导体元件，其特征在于，

进一步地，将与所述排列成一列的多指MOSFET相同形状的多指MOSFET在所述多指MOSFET的沟道的宽度方向上配置多列来形成多指阵列，

在若将从所述多指阵列的中心到所述多指MOSFET的排列方向上最远的多指MOSFET为止的距离设为Lx，则距所述多指阵列的中心为的位置，

并且若将从所述多指MOSFET的中心到所述多指MOSFET的沟道的宽度方向上的最远的沟道为止的距离设为Ly，则将所述选择的多指MOSFET的距中心最接近的位置的沟道用作所述感应MOSFET用的沟道。

5.根据权利要求4所述的电流控制用半导体元件，其特征在于，

若将从所选择的多指MOSFET的中心到所述多指MOSFET的沟道的宽度方向上的最远的沟道为止的距离设为Ly，则将所述选择的多指MOSFET的距中心最接近的位置的沟道用作所述感应MOSFET用的沟道，

并且，将作为距所述多指阵列的中心最接近的位置的多指MOSFET而选择的其它的MOSFET用作虚拟元件。

6.一种控制装置，具有电流控制用半导体元件、和控制该电流控制用半导体元件的微控制器，其特征在于，

所述电流控制用半导体元件在同一半导体芯片上具有：驱动电流的主MOSFET；和与所述主MOSFET并联连接，用于分流所述主MOSFET的电流来进行电流检测的感应MOSFET，

所述主MOSFET使用具有多个沟道并且排列成一列的多指MOSFET而形成，

所述多指MOSFET的一部分的沟道用作所述感应MOSFET用的沟道，

并且，若设从所述多指MOSFET的中心到最远的沟道为止的距离为L，则将所述多指MOSFET的距中心最接近的位置的沟道用作所述感应MOSFET用的沟道。