[发明专利]含有Cu、In、Ga及Se元素的粉末、烧结体及溅射靶、以及上述粉末的制造方法有效
| 申请号： | 201180031772.6 | 申请日： | 2011-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN102985358A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 得平雅也;南部旭;柏井茂雄;福住正文 | 申请（专利权）人： | 株式会社钢臂功科研;兵库县 |
| 主分类号： | C01B19/00 | 分类号： | C01B19/00;B22F1/00;B22F9/08;C22C9/00;C22C28/00;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 龚敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 含有 cu in ga se 元素 粉末 烧结 溅射 以及 上述 制造 方法 | ||
1.一种粉末，其为含有Cu、In、Ga及Se元素的粉末，其中，
Cu-In-Ga-Se系化合物和/或Cu-In-Se系化合物共计含有60质量％以上。
2.根据权利要求1所述的粉末，其中，
含有20质量％以下的In-Se系化合物和/或20质量％以下的Cu-In系化合物。
3.根据权利要求1所述的粉末，其中，
设定所述粉末中的Cu、In、Ga及Se的总计量为100原子％时，
Cu为20原子％以上且30原子％以下；
In为10原子％以上且25原子％以下；
Ga为0.1原子％以上且15原子％以下；
Se为40原子％以上且60原子％以下。
4.根据权利要求2所述的粉末，其中，
设定所述粉末中的Cu、In、Ga及Se的总计量为100原子％时，
Cu为20原子％以上且30原子％以下；
In为10原子％以上且25原子％以下；
Ga为0.1原子％以上且15原子％以下；
Se为40原子％以上且60原子％以下。
5.一种粉末的制造方法，其为权利要求1～4中任一项所述的粉末的制造方法，包括：
(1)将含有In及Ga的Cu基合金的熔液粉化而得到含有In、Ga及Cu元素的粉末的第一工序；
(2)在所述含有In、Ga及Cu元素的粉末中混合Se粉末而得到混合粉末的第二工序；
(3)对所述混合粉末进行热处理而得到含有Cu-In-Ga-Se系化合物和/或Cu-In-Se系化合物的反应物的第三工序；以及
(4)对在所述第三工序中得到的反应物进行粉碎而得到含有Cu、In、Ga及Se元素的粉末的第四工序。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其中，
所述Se粉末的平均粒径为0.1～10μm。
7.根据权利要求5所述的制造方法，其中，
所述第三工序中的热处理温度为500℃以上且1000℃以下。
8.根据权利要求6所述的制造方法，其中，
所述第三工序中的热处理温度为500℃以上且1000℃以下。
9.一种烧结体，其为含有Cu、In、Ga及Se元素的烧结体，其中，
Cu-In-Ga-Se系化合物和/或Cu-In-Se系化合物共计含有60质量％以上。
10.根据权利要求9所述的烧结体，其中，
含有20质量％以下的In-Se系化合物和/或20质量％以下的Cu-In系化合物。
11.一种溅射靶，其为含有Cu、In、Ga及Se元素的溅射靶，其中，
Cu-In-Ga-Se系化合物和/或Cu-In-Se系化合物共计含有60质量％以上。
12.根据权利要求11所述的溅射靶，其中，
含有20质量％以下的In-Se系化合物和/或20质量％以下的Cu-In系化合物。
13.根据权利要求12所述的溅射靶，其中，
对所述溅射靶的表面，进行0.24mm×0.24mm范围的EPMA面分析时，In含量为36质量％以上的In系化合物的面积率为10％以下。
14.根据权利要求11～13中任一项所述的溅射靶，其中，
相对密度为90％以上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社钢臂功科研;兵库县，未经株式会社钢臂功科研;兵库县许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180031772.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：对称型可调节触发速度的双向触发机构
- 下一篇：一种带控制盒的全塑型定时器
