[发明专利]多层粘合片及电子元件的制造方法有效
申请号: | 201180031760.3 | 申请日: | 2011-07-01 |
公开(公告)号: | CN102971839A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 齐藤岳史;鹿野和典 | 申请(专利权)人: | 电气化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;C09J4/02;C09J7/02;C09J133/04;C09J175/14;C09J183/04;H01L21/301 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 杨黎峰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 粘合 电子元件 制造 方法 | ||
1.一种多层粘合片,其具有基材膜、层合于基材膜的一侧表面的粘合层、以及层合于粘合层的露出面的芯片贴膜;
构成粘合层的粘合剂含有(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)、紫外线聚合性化合物(B)、多官能异氰酸酯硬化剂(C)、光聚合引发剂(D)、及硅氧烷聚合物(E);
(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)为(甲基)丙烯酸酯单体的共聚物或(甲基)丙烯酸酯单体与乙烯系化合物单体的共聚物的任一者,(甲基)丙烯酸酯单体与乙烯系化合物单体皆不具有羟基;
紫外线聚合性化合物(B)由氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物(B1)与多官能(甲基)丙烯酸酯(B2)所构成,氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物(B1)具有10个以上乙烯基,重均分子量Mw为50000以上,且所述重均分子量Mw与数均分子量Mn的比,即分散度Mw/Mn为5以上;
光聚合引发剂(D)具有羟基;
硅氧烷聚合物(E)具有羟基;
在构成粘合层的粘合剂中,(甲基)丙烯酸酯共聚物(A)为100质量份,紫外线聚合性化合物(B)为5~200质量份,多官能异氰酸酯硬化剂(C)为0.5~20质量份,光聚合引发剂(D)为0.1~20质量份,及硅氧烷聚合物(E)为0.1~20质量份。
2.如权利要求1所述的多层粘合片,其中,氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物(B1)是使以二季戊四醇五丙烯酸酯作为主成分的含羟基的丙烯酸酯与异佛尔酮二异氰酸酯的三聚体的异氰酸酯基反应而得到的,多官能(甲基)丙烯酸酯(B2)为二季戊四醇六丙烯酸酯。
3.如权利要求1或2所述的多层粘合片,其中,构成芯片贴膜的组合物具有丙烯酸酯共聚物。
4.一种电子元件的制造方法,包含:
贴附步骤,使用权利要求1至3中任一项所述的多层粘合片,并将多层粘合片贴附在硅晶圆及环形架进行固定;
切割步骤,用切割刀片切割硅晶圆,制成半导体芯片;
拾取步骤,至少照射紫外线或放射线,并从粘合层拾取芯片及芯片贴膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造