[发明专利]等离子体处理装置的可移动室衬等离子体约束屏蔽组合

权利要求书

1.一种可移动室衬，其被构造为在具有处理半导体衬底用途的等离子体反应室中，围绕衬底支撑件的周界安装，所述室衬包括：

环状底壁，其具有多个气体通道，所述环状底壁被构造为当所述可移动室衬位于所述等离子体反应室中的下部位置时处于所述衬底支撑件的衬底支撑表面的下方；

连续圆柱形外壁，其没有从中穿过的开口，从所述底壁的外部周界轴向地向上延伸，当所述可移动室衬位于所述下部位置时，所述圆柱形外壁的上表面在所述衬底支撑件的所述衬底支撑表面上方延伸；

内边沿，其从所述底壁的内部周界轴向地向上延伸，当所述可移动室衬位于所述下部位置时，所述内边沿的最上面的表面不在所述衬底支撑件的所述衬底支撑表面上方延伸；

加热器，其由所述内边沿支撑，且能操作来将所述可移动室衬加热至升高的温度。

2.如权利要求1所述的可移动室衬，其中所述内边沿包括从所述底壁的所述内部周界轴向地向上延伸的倾斜表面。

3.如权利要求1所述的可移动室衬，其中所述加热器被嵌入所述内边沿中。

4.如权利要求1所述的可移动室衬，其中所述内边沿包括相隔90° 的四个放射状向外延伸的凸台，所述凸台中的至少一个容纳到所述加热器的电气连接件。

5.如权利要求1所述的可移动室衬，其中所述圆柱形外壁和所述底壁由单块的液压成形铝板组成。

6.如权利要求1所述的可移动室衬，其中所述内边沿被搅拌摩擦焊接到所述底壁。

7.如权利要求1所述的可移动室衬，进一步包括：

在所述室衬的下表面上的至少一个电插座，其包括电气连接到所述加热器并与所述室衬电气绝缘的一或多个导电触点（加热器触点）；

在所述室衬的所述下表面上的至少一个电插座，其包括电气连接到所述室衬并与任何加热器触点电气绝缘的导电触点（RF接地返回钮）。

8.如权利要求7所述的可移动室衬，其中所述电插座按方位角对称设置。

9.如权利要求7所述的可移动室衬，其中所述加热器触点的暴露表面和所述RF接地返回钮的暴露表面的材料是镍、铑、铱或其合金。

10.如权利要求7所述的可移动室衬，其中：

所述电插座中的两个包括加热器触点以及；

所述电插座中的每一个包括RF接地返回钮。

11.如权利要求1所述的可移动室衬，其中所述底壁中的所述开口是以放射形状排布的槽，且它们的纵轴大体上垂直于所述室衬的内外周。

12.如权利要求1所述的可移动室衬，其中所述底壁、所述圆柱形外壁和所述内边沿是阳极化铝、或粗糙化和阳极化铝。

13.如权利要求1所述的可移动室衬，其中所述加热器包括两个半圆加热器元件。

14.如权利要求1所述的可移动室衬，其中所述底壁、所述圆柱形外壁和所述内边沿的等离子体暴露表面用陶瓷涂层涂布。

15.如权利要求13所述的可移动室衬，其中所述半圆加热器元件中的每一个包括位于其相对端的成对的放射状向外延伸的区段。

16.一种等离子体反应室，其包括：

如权利要求7所述的可移动室衬；

衬底支撑件，所述半导体衬底被支撑于其上；

至少一个射频（RF）电源，其适配来在所述等离子体反应室的运转期间将工艺气体中的至少一种激励为等离子体，其中所述等离子体具有处理所述半导体衬底的用途；

圆柱形室壁；

能竖直移动的致动器，其被附着于所述可移动室衬中的所述电插座，且被适配来将所述室衬沿其轴移动至上部位置以允许通过所述室壁中的槽加载和卸载所述半导体衬底。

17.如权利要求16所述的等离子体反应室，其中：

所述致动器中的至少一个包括电气连接到所述电插座中的一个中的第一加热器触点并电气连接到电源的引线；

所述致动器中的至少一个包括电气连接到所述电插座中的一个中的第二加热器触点并电气连接到所述电接地的另一引线；

所述致动器中的每一个包括电气连接到电插座中的RF返回钮并电气连接到所述RF接地的引线。

18.如权利要求16所述的等离子体反应室，其中所述致动器是气动的。