[发明专利]光固化性压印用组合物以及使用该组合物的图案的形成方法有效
申请号: | 201180030920.2 | 申请日: | 2011-06-29 |
公开(公告)号: | CN102959679A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 梅川秀喜;川端雄一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社德山 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B29C59/02;G03F7/20 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光固化 压印 组合 以及 使用 图案 形成 方法 | ||
技术领域
本发明涉及新型的光固化性压印用组合物,还进一步涉及使用所述光固化性压印用组合物在基板上形成图案的新型的图案形成方法。
背景技术
近年来,要求半导体集成电路更微细化、高精度,这样的微细的高精度的半导体集成电路一般采用压印技术来制造。
压印技术利用了下述技术:通过将具有与想在基板上形成的图案对应的图案凹凸的模具模压在基板表面形成的涂膜上,使期望的图案转印到该基板表面的技术,通过使用该技术,可以形成纳米级别的微细图案。压印技术之中,尤其是形成数百~数纳米(nm)的超微细图案的技术被称为纳米压印技术。
关于该压印技术,其方法根据形成于基板表面的涂膜材料的特性被区分为2类。其一是通过将需要转印图案的涂膜材料加热赋予可塑性后,按压模具,进行冷却,使涂膜材料固化,从而转印图案的方法。另外,另一类是通过模具或基板的至少一者使用透光性的材质,在基板上涂布液态的光固化性组合物形成涂膜,按压模具即而与涂膜接触,接着,隔着模具或基板照射光使该涂膜材料固化,从而转印图案的方法。这些之中,采用光照射转印图案的光压印的方法由于能够形成高精度的图案,所以在纳米压印技术中被广泛利用,并且进行了大量适用于该方法的光固化性组合物的开发。
例如,开发了大量使用具有(甲基)丙烯酰基的聚合性单体的光固化性纳米压印用组合物(参照专利文献1~6)。具有(甲基)丙烯酰基的聚合性单体容易光聚合、适合用于数十纳米级别的图案形成。然而,实际中由于这些光固化性组合物不得不发挥各种性能,所以组合使用了各种聚合性单体。
具体来说,对于光纳米压印技术中使用的光固化性纳米压印组合物,已知有为了使与基板的密合性良好、降低对模具的附着,组合使用共聚性不同的聚合性单体(参照专利文献1)。另外,已知有为了提高干式蚀刻耐性,使分子中具有环状结构的聚合性单体以相对于其它成分特定量地配合的光固化性纳米压印用组合物(参照专利文献2)。此外,已知也有为了改善流动性,配合有反应稀释剂(聚合性单体)的光固化性纳米压印用组合物(参照专利文献3)。
如上所述,每种聚合性单体具有其作用,例如,根据要形成的图案,需要调整每种聚合性单体的配合比例。近年来,对在纳米压印技术中使用的光固化性纳米压印组合物的要求变得非常苛刻。尤其是,需要制造高精度的且具有超微细图案的基板,为此,随着图案被更加微细化,也要求良好地维持由光固化性纳米压印用组合物固化得到的超微细图案的形状。为了达成此要求,考虑了种种因素,希望开发模具(图案形成面)的转印性好、具有优异的光固化性、且对模具的附着少、剥离性优异的具有各种性能的光固化性纳米压印用组合物。
在这样的光固化性纳米压印用组合物的开发中,如上所述,开展了采用调整聚合性单体的种类、配合量的各种开发。然而,由于各聚合性单体分别具有特定的作用,仅通过简单地调整这些聚合性单体的组合、配合量,从而达到光固化性纳米压印组合物所要求的上述各种性能是极为困难的。因此,不论使用的聚合性单体如何,如果使用添加剂可以改善光固化性纳米压印组合物的上述性能,由于能够使光固化性纳米压印组合物广泛适用于各种超微细图案、各种使用形态的基板,因而可以显著地改善光固化性纳米压印组合物的适用性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2008-84984号公报
专利文献2:日本特开2007-186570号公报
专利文献3:日本特开2007-84625号公报
专利文献4:日本特开2010-17936号公报
专利文献5:日本特开2010-16149号公报
专利文献6:日本特表2007-523249号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明的目的在于提供下述光固化性压印用组合物,其通过添加剂的配合,使模具形成的图案的转印性好、具有优异的光固化性、从模具(图案形成面)上的剥离性好,由此,可以在基板上形成再现性优异的形状图案。尤其是,提供可以适合作为能够良好地形成5nm~100μm的图案、甚而5nm~500nm的微细图案的光固化性纳米压印用组合物使用的光固化性压印用组合物以及使用了该组合物的图案的形成方法。
用于解决问题的方案
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造