[发明专利]硅晶片、半导体装置、硅晶片的制造方法以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201180030664.7 | 申请日： | 2011-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN102947948A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 高木明英;中村昌次;西野光俊;大竹保年 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 封新琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
1.一种背面电极型太阳能电池，其具备：
硅晶片(1)，其通过刻蚀经切割n型单晶硅锭(50)而得到的n型单晶硅(11)的表面而得到，且对于所述n型单晶硅(11)的单侧的表面，仅刻蚀5μm以上且25μm以下，并且，该硅晶片(1)的表面具有10μm以上且150μm以下宽度的小面(62)，
设置于所述硅晶片(1)的具有所述小面(62)的所述表面的n型掺杂剂扩散区域(3)以及p型掺杂剂扩散区域(5)，
设置于所述n型掺杂剂扩散区域(3)上的n型用电极(12)，以及
设置于所述p型掺杂剂扩散区域(5)上的p型用电极(13)。
2.权利要求1所述的背面电极型太阳能电池，其中，所述小面(62)的深度为0.1μm以上且10μm以下。
3.一种背面电极型太阳能电池的制造方法，其包括：
切割n型单晶硅锭(50)，形成n型单晶硅(11)的步骤，
通过用氢氧化钠浓度为20质量%以上且35质量%以下的氢氧化钠水溶液刻蚀所述n型单晶硅(11)的表面，形成表面具有10μm以上且150μm以下宽度的小面(62)的硅晶片(1)的步骤，
在所述硅晶片(1)的具有所述小面(62)的所述表面形成n型掺杂剂扩散区域(3)的步骤，
在所述硅晶片(1)的具有所述小面(62)的所述表面形成p型掺杂剂扩散区域(5)的步骤，
在所述n型掺杂剂扩散区域(3)上形成n型用电极(12)的步骤，以及
在所述p型掺杂剂扩散区域(5)上形成p型用电极(13)的步骤；
所述刻蚀的步骤中的所述n型单晶硅(11)的刻蚀量对于所述n型单晶硅(11)的单侧的表面为5μm以上且25μm以下。
4.权利要求3所述的背面电极型太阳能电池的制造方法，其中，所述形成n型单晶硅(11)的步骤包括用线状锯(53)切割所述n型单晶硅锭(50)的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180030664.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：紫外半导体发光元件
- 下一篇：导热片、导热片的制作方法、以及散热装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
