[发明专利]光电变换装置

权利要求书

1.一种光电变换装置，在该光电变换装置中，将表面电极、由半导体材料构成的光电变换层、由透明导电氧化物构成的透明导电层、以及由金属材料构成的背面电极按照该顺序层叠，其中，

由以硅为主成分的半导体材料构成且折射率比所述透明导电层高的导电层与所述透明导电层和所述背面电极相接而被夹住。

2.根据权利要求1所述的光电变换装置，其特征在于，

透明导电层以ZnO为主成分，背面电极以银为主成分。

3.根据权利要求1或者2所述的光电变换装置，其特征在于，

导电层针对波长850nm的折射率为3.4以上。

4.根据权利要求1~3中的任一项所述的光电变换装置，其特征在于，

导电层是掺杂了杂质的导电性的非晶质硅。

5.根据权利要求1~3中的任一项所述的光电变换装置，其特征在于，

导电层是掺杂了杂质的导电性的微晶硅。

6.根据权利要求1~5中的任一项所述的光电变换装置，其特征在于，

导电层的膜厚落入30nm~300nm的范围内。

7.根据权利要求1~6中的任一项所述的光电变换装置，其特征在于，

导电层是n型半导体。