[发明专利]倒装芯片型半导体背面用膜

权利要求书

1.一种倒装芯片型半导体背面用膜，其要形成于倒装芯片连接至被粘物的半导体元件的背面上，

其中热固化后的23℃下的拉伸贮能弹性模量为10GPa以上至不大于50GPa。

2.根据权利要求1所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜由至少热固性树脂组分形成。

3.根据权利要求2所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其至少包括由至少热固性树脂组分和具有25℃以上至不高于200℃的玻璃化转变温度的热塑性树脂组分形成的层。

4.根据权利要求3所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述具有25℃以上至不高于200℃的玻璃化转变温度的热塑性树脂组分的共混比落入相对于树脂组分的总量为5重量%以上至不大于40重量%的范围内。

5.根据权利要求3或4所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述具有25℃以上至不高于200℃的玻璃化转变温度的热塑性树脂组分包括具有25℃以上至不高于200℃的玻璃化转变温度的丙烯酸类树脂。

6.根据权利要求2所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其至少包括由至少热固性树脂组分形成的且不包含热塑性树脂组分的层。

7.根据权利要求2-6任一项所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述热固性树脂组分包括环氧树脂。

8.根据权利要求6所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述热固性树脂组分包含相对于所述热固性树脂组分的总量为60重量%以上的量的液体环氧树脂。

9.根据权利要求2-8任一项所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其中进一步添加着色剂。

10.根据权利要求1-9任一项所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜的厚度落入2μm-500μm的范围内。

11.根据权利要求1-10任一项所述的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述半导体元件的厚度落入20μm-300μm的范围内。

12.一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：

切割带，所述切割带包括基材和层压于所述基材上的压敏粘合剂层；和

层压于所述切割带上的根据权利要求1-11任一项所述的倒装芯片型半导体背面用膜，

其中将所述倒装芯片型半导体背面用膜层压于所述压敏粘合剂层上。

13.一种使用根据权利要求12所述的半导体背面用切割带集成膜的半导体器件的制造方法，所述方法包括：

将半导体晶片粘贴至所述半导体背面用切割带集成膜中的倒装芯片型半导体背面用膜的步骤；

将所述半导体晶片切割以形成半导体元件的步骤；

将所述半导体元件与所述倒装芯片型半导体背面用膜一起从所述切割带的压敏粘合剂层剥离的步骤；和

将所述半导体元件倒装芯片连接至被粘物的步骤。

14.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其中所述倒装芯片连接步骤包括将包封树脂包封在倒装芯片接合至所述被粘物上的半导体元件和所述被粘物之间的间隙，接着热固化所述包封树脂的步骤。

15.一种倒装芯片型半导体器件，其通过根据权利要求13或14所述的半导体器件的制造方法来制造。