[发明专利]基板、基板的制造方法及发光元件

权利要求书

1.一种发光元件（30）用基板，其由尖晶石制成。

2.权利要求1所述的基板，其中，所述尖晶石的烧结体的组成为MgO·nAl₂O₃（1.05≤n≤1.30），且Si元素的含量为20ppm以下。

3.权利要求2所述的基板，其中，所述烧结体在厚度为1mm时，波长为350nm以上且450nm以下的光线的直线透过率为80%以上。

4.权利要求1所述的基板，该基板具有主表面（10a），

对于所述主表面（10a），当设定多个长5mm×宽5mm的四方形区域时，在所述多个区域中，对于多个评价对象区域而言，表示LTV为1.0μm以下的所述评价对象区域的比率的PLTV为90%以上，其中所述多个评价对象区域为除去了落入距离所述主表面（10a）外周3mm范围内的所述区域后的部分。

5.一种基板的制造方法，其为由尖晶石制成的发光元件（30）用基板（10）的制造方法，所述尖晶石的组成为MgO·nAl₂O₃（1.05≤n≤1.30）且Si元素的含量为20ppm以下，

所述基板的制造方法具有：

形成成形体的工序（S20），所述成形体由Si元素含量为50ppm以下且纯度为99.5质量%以上的尖晶石粉末构成；

第1烧结工序（S31），其中，在真空中于1500℃以上且1800℃以下对所述成形体进行烧结，由此形成密度为95%以上的烧结体；以及

第2烧结工序（S32），其中，在1600℃以上且1900℃以下对所述烧结体进行加压烧结。

6.权利要求5所述的基板（10）的制造方法，其中，由所述第1烧结工序（S31）形成的所述烧结体的Si元素含量为20ppm以下。

7.权利要求5所述的基板（10）的制造方法，其中，所述第1烧结工序（S31）在50Pa以下的压力下进行，

当将所述烧结体的中心部分到所述烧结体外侧的最短厚度定义为D（mm），并且将从1000℃直至到达最高温度的升温时间定义为t分钟时，具有以下关系：

D＝a×t^1/2

0.1≤a≤3。

8.权利要求5所述的基板（10）的制造方法，其还具有：

在所述第2烧结工序（S32）后，对所述烧结体进行切片的工序，以及

采用化学机械抛光法对通过上述切片工序得到的基板的表面进行抛光的工序（S44），

在所述抛光工序（S44）中，在所述基板（10）夹在抛光垫（43）和抛光头（45）之间的状态下对所述基板（10）进行抛光，其中所述抛光垫（43）被设置在平台（42）上，并且所述抛光头（45）被设置为与所述抛光垫（43）相对，此外，

在所述抛光头（45）和所述基板（10）之间设置软质层（44），该软质层（44）的硬度比所述抛光头（45）的硬度低。

9.一种发光元件，具有：

权利要求1所述的基板（10），以及

半导体层（1～6），所述半导体层（1～6）设置在所述基板（10）的一侧的主表面上并且包含发光层（4）。

10.权利要求9所述的发光元件，其中，所述基板（10）与所述半导体层（1～6）相接合。