[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

基板；在所述基板上形成的薄膜晶体管；具有第一连接部的栅极配线；具有第二连接部的源极配线；和将所述薄膜晶体管和外部配线电连接的第一端子和第二端子，

所述薄膜晶体管包括：

在所述栅极配线上形成的绝缘膜；

在所述绝缘膜上形成的、具有沟道区域和分别位于所述沟道区域的两侧的源极区域和漏极区域的岛状的氧化物半导体层；

与所述源极区域电连接的所述源极配线；和

与所述漏极区域电连接的漏极电极，

所述半导体装置还包括：

在所述源极配线和漏极电极上设置且覆盖所述薄膜晶体管的保护膜；和

在所述保护膜上形成且以与所述漏极电极接触的方式形成的像素电极，

所述第一端子包括：

由与所述栅极配线相同的导电膜形成的第一栅极端子部；和

在所述绝缘膜上形成且由与所述像素电极相同的导电膜形成的第一像素电极配线，

所述第一像素电极配线在设置于所述绝缘膜的第一开口部内与所述第一栅极端子部接触，并且覆盖所述第一开口部中的所述绝缘膜的端面，而且与所述第一连接部电连接，

所述第二端子包括：

由与所述栅极配线相同的导电膜形成的第二栅极端子部；和

在所述绝缘膜上形成且由与所述像素电极相同的导电膜形成的第二像素电极配线，

所述第二像素电极配线在设置于所述绝缘膜的第二开口部内与所述第二栅极端子部接触，并且覆盖所述第二开口部中的所述绝缘膜的端面，而且与所述第二连接部电连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

还具有设置于所述绝缘膜内的开口区域，

所述开口区域在所述第一端子与所述第一连接部之间和所述第二端子与所述第二连接部之间的至少任意一者形成。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：

所述辅助电容配线的一部分在所述开口区域与所述第一端子之间和所述开口区域与所述第二端子之间的至少任意一者形成。

4.一种半导体装置，其特征在于，包括：

基板；在所述基板上形成的薄膜晶体管；栅极配线；源极配线；连接部；和将所述薄膜晶体管和外部配线电连接的第一端子和第二端子，

所述薄膜晶体管包括：

在所述栅极配线上形成的绝缘膜；

在所述绝缘膜上形成的、具有沟道区域和分别位于所述沟道区域的两侧的源极区域和漏极区域的岛状的氧化物半导体层；

与所述源极区域电连接的所述源极配线；和

与所述漏极区域电连接的漏极电极，

所述半导体装置还具有：

在所述源极配线和所述漏极电极上设置且覆盖所述薄膜晶体管的保护膜；和

在所述保护膜上形成且以与所述漏极电极接触的方式形成的像素电极，

所述第一端子包括：

在所述栅极配线的一部分形成的栅极端子部；和

在设置于所述绝缘膜和所述保护膜的第一开口部内与所述栅极端子部接触，并且，由与所述像素电极相同的导电膜形成的第一像素电极配线，

所述第一像素电极配线覆盖所述第一开口部中的所述绝缘膜和所述保护膜的端面，

所述连接部包括：

由与所述栅极配线相同的导电膜形成的源极端子连接配线；

在所述源极端子连接配线上形成的所述绝缘膜；

在所述绝缘膜上形成的所述源极配线和所述保护膜；和

在所述保护膜上形成且由与所述像素电极相同的导电膜形成的第二像素电极配线，

所述第二像素电极配线在设置于所述绝缘膜和所述保护膜的第二开口部内与所述源极端子连接配线和所述源极配线电连接，

所述第二端子包括：

所述源极端子连接配线；和

在所述源极端子连接配线和所述绝缘膜上形成且由与所述像素电极相同的导电膜形成的第三像素电极配线，

所述第三像素电极配线在设置于所述绝缘膜的第三开口部内与所述源极端子连接配线接触，并且覆盖所述第三开口部中的所述绝缘膜的端面，

所述源极端子连接配线将所述第二端子和所述连接部电连接。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

在位于所述连接部与所述第二端子之间的所述保护膜的端面内，在位于所述第二端子侧的所述绝缘膜侧的端面的一部分形成有凹部。