[发明专利]储氢合金及使用该储氢合金的氢传感器无效
| 申请号： | 201180028078.9 | 申请日： | 2011-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN102933729A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 内山直树;金井友美;原田和美 | 申请（专利权）人： | 株式会社渥美精机 |
| 主分类号： | C22C19/00 | 分类号： | C22C19/00;C01B3/00;G01N21/47;G01N31/00;C22C1/00;C22C14/00;C22C16/00;C22C23/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张平元 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 合金 使用 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种储氢合金，其包含Mg-Ni系合金和Zr-Ti系合金。
2.根据权利要求1所述的储氢合金，其仅由Mg-Ni合金和Zr-Ti-Mn合金构成。
3.使用了权利要求1所述的储氢合金的氢传感器，其具备：
基板；
氢反应层，其设置在所述基板上，且包含所述Mg-Ni系合金和所述Zr-Ti系合金；以及
第1催化剂层，其设置在所述氢反应层上，用于促进所述Mg-Ni系合金的氢化。
4.根据权利要求3所述的氢传感器，其中，所述氢反应层分散混合有所述Mg-Ni系合金和所述Zr-Ti系合金。
5.根据权利要求3所述的氢传感器，其中，所述氢反应层具有：由所述Mg-Ni系合金形成的调光层、以及由所述Zr-Ti系合金形成的用于促进所述Mg-Ni系合金的脱氢化的第2催化剂层。
6.根据权利要求5所述的氢传感器，其中，所述第2催化剂层配置在所述调光层和所述基板之间。
7.根据权利要求5所述的氢传感器，其中，所述第2催化剂层配置在所述调光层和所述第1催化剂层之间。
8.根据权利要求5所述的氢传感器，其中，所述第2催化剂层配置在所述调光层和所述第1催化剂层之间、以及所述调光层和所述基板之间。
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