[发明专利]具有介入物的内建非凹凸层封装设计有效
| 申请号: | 201180027611.X | 申请日: | 2011-06-30 |
| 公开(公告)号: | CN102934223A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
| 发明(设计)人: | P·马拉特卡 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
| 主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/482;H05K3/46 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 姬利永 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 介入 内建非 凹凸 封装 设计 | ||
1.一种微电子封装,包括:
微电子管芯,所述微电子管芯具有有源表面、相对的后表面以及在所述微电子管芯有源表面和所述微电子管芯后表面之间延伸的至少两个相对侧;
在所述微电子管芯至少一侧附近的介入物;
与所述微电子管芯至少一侧邻近的封装材料;以及
附连于所述介入物的堆叠的微电子管芯。
2.如权利要求1所述的微电子封装,其特征在于,所述介入物在所述微电子管芯的至少两个相对侧附近。
3.如权利要求2所述的微电子封装,其特征在于,所述堆叠的微电子管芯大致横跨所述微电子管芯。
4.如权利要求2所述的微电子封装,其特征在于,所述介入物基本上包围所述微电子管芯。
5.如权利要求1所述的微电子封装,其特征在于,所述介入物与所述微电子管芯集成。
6.如权利要求5所述的微电子封装,其特征在于,所述介入物基本上包围所述微电子管芯的有源区。
7.如权利要求1所述的微电子封装,其特征在于,还包括形成在所述微电子管芯有源表面附近的内建层。
8.如权利要求1所述的微电子封装,其特征在于,所述封装材料包括与所述微电子管芯后表面大致平齐的后表面。
9.如权利要求8所述的微电子封装,其特征在于,所述介入物包括前表面和后表面,且所述封装材料后表面大致与所述介入物后表面平齐。
10.如权利要求1所述的微电子封装,其特征在于,所述微电子管芯包括微处理器,而所述堆叠的微电子管芯包括存储器件。
11.一种形成微电子封装的方法,包括:
提供微电子管芯,所述微电子管芯具有有源表面、相对的后表面以及在所述微电子管芯有源表面和所述微电子管芯后表面之间延伸的至少两个相对侧;
在所述微电子管芯至少一侧附近设置介入物;
邻近所述微电子管芯至少一侧设置封装材料;以及
将堆叠的微电子管芯附连于所述介入物。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,设置所述介入物包括在所述微电子管芯的至少两个相对侧附近设置介入物。
13.如权利要求12所述的方法,其特征在于,附连所述堆叠的微电子管芯包括将堆叠的微电子管芯附连于所述介入物以横跨所述微电子管芯。
14.如权利要求12所述的方法,其特征在于,设置所述介入物包括设置基本上包围所述微电子管芯的介入物。
15.如权利要求11所述的方法,其特征在于,设置所述介入物包括设置与所述微电子管芯集成的介入物。
16.如权利要求15所述的方法,其特征在于,设置与所述微电子管芯集成的所述介入物包括设置基本上包围所述微电子管芯的有源区的介入物。
17.如权利要求11所述的方法,其特征在于,还包括在所述微电子管芯前表面附近形成内建层。
18.如权利要求11所述的方法,其特征在于,设置所述封装材料包括设置封装材料以形成与所述微电子管芯后表面大致平齐的后表面。
19.如权利要求18所述的方法,其特征在于,设置所述介入物包括设置包括前表面和后表面的介入物,而设置所述封装材料包括设置所述封装材料以形成与所述介入物后表面大致平齐的后表面。
20.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述微电子管芯包括微处理器而所述堆叠的微电子管芯包括存储器件。
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