[发明专利]太阳能电池模块用密封材料及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201180026779.9 申请日: 2011-05-27
公开(公告)号: CN102918659A 公开(公告)日: 2013-02-06
发明(设计)人: 村泽宪;大曾根聪 申请(专利权)人: 大日本印刷株式会社
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;B32B27/32;C09K3/10
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 模块 密封材料 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池模块用密封材料,其特征在于,

是由实质上不含有交联助剂且按质量计含密度为0.900g/cm3以下的聚乙烯类树脂90%以上的树脂组合物构成的单层或者多层膜,

按照JIS K7210测定的在190℃、载荷2.16kg下的所述单层或者多层膜的MFR是0.1g/10min以上但不足1.0g/10min。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池模块用密封材料,其特征在于,

所述聚乙烯类树脂是茂金属类直链状低密度聚乙烯。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池模块用密封材料,其特征在于,

所述聚乙烯类树脂含有将α-烯烃与乙烯性不饱和硅烷化合物作为共聚用单体进行共聚合而成的共聚物。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的太阳能电池模块用密封材料,其特征在于,

凝胶分率是25%以下。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的太阳能电池模块用密封材料,其特征在于,

聚苯乙烯换算的重均分子量为12万以上30万以下。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的太阳能电池模块用密封材料,其特征在于,

所述太阳能电池模块用密封材料由所述MRF不同的2层以上构成。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池模块用密封材料,其特征在于,

所述MRF高的层配置为最外层,所述MFR低的层配置为中间层。

8.一种太阳能电池模块,其特征在于,

使用了权利要求1至7中任一项所述的太阳能电池模块用密封材料。

9.一种太阳能电池模块用密封材料的制造方法,其特征在于,

对含有密度为0.900g/cm3以下的聚乙烯类树脂和在组合物中按质量计含有0.02%以上但不足0.5%的聚合引发剂的树脂组合物进行熔融成形。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池模块用密封材料的制造方法,其特征在于,

在所述组合物中按质量计含有0.02%以上0.2%以下所述聚合引发剂。

11.根据权利要求9或10所述的太阳能电池模块用密封材料的制造方法,其特征在于,

所述聚合引发剂是有机过氧化物。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的太阳能电池模块用密封材料的制造方法,其特征在于,

在所述聚乙烯类树脂的熔点+50℃以上的条件下进行所述熔融成形。

13.根据权利要求9至12中任一项所述的太阳能电池模块用密封材料的制造方法,其特征在于,

熔融成形前后的所述树脂组合物的密度差为0.05g/cm3以内,熔融成形前后的所述树脂组合物按照JIS K7210测定的在190℃、载荷2.16kg下的MFR差为1.0g/10min以上。

14.根据权利要求9至13中任一项所述的太阳能电池模块用密封材料的制造方法,其特征在于,

所述太阳能电池模块用密封材料由所述聚合引发剂的含量不同的2层以上构成。

15.根据权利要求14所述的太阳能电池模块用密封材料的制造方法,其特征在于,

所述聚合引发剂的含量低的层配置为最外层,所述聚合引发剂的含量高的层配置为中间层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大日本印刷株式会社,未经大日本印刷株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180026779.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top