[发明专利]用于使用电子倍增的真空管的电子倍增结构以及具有该电子倍增结构的使用电子倍增的真空管有效
| 申请号： | 201180026584.4 | 申请日： | 2011-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN103026449A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 格特·努特则;帕斯卡尔·拉乌特;理查德·杰克曼 | 申请（专利权）人： | 福托尼斯法国公司 |
| 主分类号： | H01J31/50 | 分类号： | H01J31/50;H01J40/06;H01J1/32 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 彭家恩;彭愿洁 |
| 地址： | 法国布里夫·拉·基尔拉*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 使用 电子 倍增 真空管 结构 以及 具有 | ||
1. 用于使用电子倍增的真空管的电子倍增结构（70），所述电子倍增结构（70）包括旨在取向为与真空管的进入窗成面向关系的输入面，旨在取向为与真空管的探测面成面向关系的输出面，其中所述电子倍增结构至少包括半导体材料层，其特征在于，所述半导体层邻近于真空管的所述探测面。
2. 如权利要求1所述的电子倍增结构，其特征在于，所述半导体材料层具有至少2eV的带隙。
3. 如权利要求1或2所述的电子倍增结构，其特征在于，所述半导体材料层包括至少一个取自于化学元素周期表III-V族或II-VI族的化合物。
4. 如权利要求1或2所述的电子倍增结构，其特征在于，所述半导体材料层包括金刚石状材料层、单晶金刚石膜、多晶金刚石膜和纳米金刚石膜组中的任意一种。
5. 如权利要求4所述的电子倍增结构，其特征在于，所述金刚石状材料层实现为纳米粒子金刚石、金刚石状碳或石墨烯的涂层。
6. 如前述权利要求中任一项所述的电子倍增结构，其特征在于，所述电子倍增结构包括电致发光材料，在所述电致发光材料上分布有所述半导体材料层。
7. 如权利要求6所述的电子倍增结构，其特征在于，所述电致发光结构为有机发光层。
8. 如权利要求6或7所述的电子倍增结构，其特征在于，所述电子倍增结构包括阳极层，在所述阳极层上分布有所述有机发光层。
9. 如权利要求8所述的电子倍增结构，其特征在于，所述阳极层构造为铟-锡-氧化物层。
10. 如前述权利要求中任一项所述的电子倍增结构，其特征在于，所述电子倍增结构包括电场产生装置，用于产生越过所述半导体材料层的电场。
11. 如权利要求1至9任一项所述的电子倍增结构，其特征在于，所述电子倍增结构包括电场产生装置，用于产生越过所述半导体材料层和探测面的电场。
12. 如权利要求10或11所述的电子倍增结构，其特征在于，所述半导体材料层具有分布于所述电子倍增结构的输入面上的电极样式。
13. 如权利要求10至12任一项所述的电子倍增结构，其特征在于，在所述半导体材料层和所述有机发光层之间分布有金属像素结构。
14. 如权利要求8所述的电子倍增结构，其特征在于，所述金属像素结构的像素之间用具有光不透特性填充材料填充。
15. 一种用作电子倍增器的真空管，其特征在于，至少具有根据前述任一项权利要求所述的电子倍增结构。
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