[发明专利]MEMS可变电容器及其驱动方法有效
| 申请号： | 201180026103.X | 申请日： | 2011-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102906837A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 朴栋灿;尹浚宝;崔东勋;杨贤昊;赵盛培;宋珠荣;李尚勋;韩昌训;金昌郁 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司;韩国高等科学技术研究所 |
| 主分类号： | H01G5/16 | 分类号： | H01G5/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李春晖;李德山 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 可变电容器 及其 驱动 方法 | ||
1.一种MEMS可变电容器，其特征在于：
第一电极；
浮置在所述第一电极的上部上方的第二电极；
在所述第二电极的侧面处分离开的固定电极；以及
漂移电极，其被设置在所述第二电极和所述固定电极之间、连接至所述第二电极并且通过施加到所述固定电极的电压来与所述固定电极物理接触。
2.根据权利要求1所述的MEMS可变电容器，其特征在于：所述可变电容器改变施加到所述第一电极的电压，以改变所述第一电极与所述第二电极之间的间距。
3.根据权利要求1所述的MEMS可变电容器，其特征在于：所述第一电极与所述固定电极被形成在衬底的上部，并且
所述第二电极和所述漂移电极连接至固定到所述衬底上的弹簧，以使得所述第二电极浮置在所述第一电极的上部上方。
4.根据权利要求1所述的MEMS可变电容器，其特征在于：所述第一电极上形成有用于防止与所述第二电极短路的第一绝缘膜，所述固定电极上形成有用于防止与所述漂移电极短路的第二绝缘膜。
5.根据权利要求1所述的MEMS可变电容器，其特征在于：所述固定电极和所述漂移电极中的每个都是一对电极或四个电极。
6.根据权利要求1所述的MEMS可变电容器，其特征在于：所述第一电极连接至第一电源，所述固定电极连接至第二电源，而所述漂移电极连接至地。
7.根据权利要求1所述的MEMS可变电容器，其特征在于：施加到所述固定电极的所述电压是通过用于防止RF信号流动的电阻器来施加的。
8.根据权利要求3所述的MEMS可变电容器，其特征在于：在所述衬底与所述固定电极之间形成有SiC层，并且通过所述SiC层来施加提供到所述固定电极的电压。
9.根据权利要求1所述的MEMS可变电容器，其特征在于：所述漂移电极的两个端部都连接至所述第二电极。
10.根据权利要求3所述的MEMS可变电容器，其特征在于：所述第二电极为多边形形状。
11.根据权利要求10所述的MEMS可变电容器，其特征在于：所述弹簧连接至所述第二电极的每个边。
12.一种MEMS可变电容器的驱动方法，其特征在于：
制备MEMS可变电容器，所述MEMS可变电容器包括：
第一电极；
浮置在所述第一电极的上部上方的第二电极；
在所述第二电极的侧面处分离开的固定电极；以及
漂移电极，其被设置在所述第二电极和所述固定电极之间、连接至所述第二电极并且通过施加到所述固定电极的电压来与所述固定电极物理接触；
通过对所述第一电极施加电压来维持所述第一电极和所述第二电极之间的间距；以及
通过对所述固定电极施加电压来使所述漂移电极贴至所述固定电极。
13.根据权利要求12所述的MEMS可变电容器的驱动方法，其特征在于：施加到所述第一电极的电压低于吸合电压。
14.根据权利要求12所述的MEMS可变电容器的驱动方法，其特征在于：施加到所述固定电极的电压高于吸合电压。
15.根据权利要求12所述的MEMS可变电容器的驱动方法，其特征在于：在通过对所述固定电极施加电压来使所述漂移电极贴至所述固定电极的步骤之后，还进行步骤：使RF信号从所述第一电极流到所述第二电极或者从所述第二电极流到所述第一电极。
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