[发明专利]多层反射镜

权利要求书

1.一种多层反射镜，包括：

第一材料层；

硅层；

第一材料层和硅层形成叠层；其中硅层的暴露区域包括布置用以改善硅的暴露区域的鲁棒性的改性部。

2.如权利要求1所述的多层反射镜，其中所述改性部布置用以通过下列的一者或两者来改善硅的暴露区域的鲁棒性：

降低硅层的暴露区域与氢或原子态氢的反应性；和/或

改善或提高硅层的暴露区域的溅射耐受性。

3.如权利要求2所述的多层反射镜，其中通过设置在硅层的暴露区域的表面上或硅层的暴露区域中的一种或更多种注入材料来降低硅层的暴露区域与氢或原子态氢的反应性；和/或

通过用于覆盖硅层的暴露区域或形成硅层的暴露区域的一部分的钝化层来降低硅层的暴露区域与氢或原子态氢的反应性。

4.如权利要求2或3所述的多层反射镜，其中通过设置在硅层的暴露区域的表面上或硅层的暴露区域中的一种或更多种注入材料来改善硅层的暴露区域的溅射耐受性；和/或

通过用于覆盖硅层的暴露区域或形成硅层的暴露区域的一部分的钝化层来改善硅层的暴露区域的溅射耐受性。

5.如前述权利要求任一项所述的多层反射镜，其中所述改性部包括下列的一种或更多种：

在硅层的暴露区域的表面上或在硅层的暴露区域中设置的一种或更多种注入材料，例如硼、氮以及氮化物中的一种或更多种；和/或

用于覆盖硅层的暴露区域或形成硅层的暴露区域的一部分的钝化层，其中钝化层可选地包括氮化物层、硅氮化物层、硼玻璃层或硅氧氮化物层中的一种或更多种。

6.如前述权利要求任一项所述的多层反射镜，其中硅层的暴露区域是硅层的外围区域和/或硅层的侧壁。

7.如前述权利要求任一项所述的多层反射镜，其中多层反射镜包括多个第一材料层和/或多个硅层，和其中，硅层被第一材料层分隔开，和/或，第一材料层被硅层分隔开。

8.如前述权利要求任一项所述的多层反射镜，其中单个硅层或多个硅层的多个暴露区域包括改性部。

9.如前述权利要求任一项所述的多层反射镜，其中单个硅层或多个硅层的单个暴露区域或多个暴露区域的大部分或基本上全部包括改性部。

10.一种光刻设备或辐射源，设置有如前述权利要求任一项所述的多层反射镜。

11.一种改善多层反射镜鲁棒性的方法，所述多层反射镜包括：

第一材料层；

硅层；

第一材料层和硅层形成叠层；所述方法包括步骤：

对硅层的暴露区域进行改性以改善硅的暴露区域的鲁棒性。

12.如权利要求11所述的方法，其中改性步骤通过下列中一种或更多种途径改善硅的暴露区域的鲁棒性：

降低硅层的暴露区域与氢或原子态氢的反应性；和/或

改善硅层的暴露区域的溅射耐受性。

13.如权利要求12所述的方法，其中通过设置在硅层的暴露区域的表面上或在硅层的暴露区域中注入一种或更多种材料来降低硅层的暴露区域与氢或原子态氢的反应性；和/或

通过提供用于覆盖硅层的暴露区域或形成硅层的暴露区域的一部分的钝化层来降低硅层的暴露区域与氢或原子态氢的反应性。

14.如权利要求12或13所述的多层反射镜，其中通过在硅层的暴露区域的表面上或在硅层的暴露区域中注入一种或更多种材料来改善硅层的暴露区域的溅射耐受性；和/或

通过提供用于覆盖硅层的暴露区域或形成硅层的暴露区域的一部分的钝化层来改善硅层的暴露区域的溅射耐受性。

15.如权利要求11所述的方法，其中改性步骤包括下列步骤中的一个或更多个：

在硅层的暴露区域的表面上或在硅层的暴露区域中注入一种或更多种材料；和/或

提供钝化层，所述钝化层覆盖硅层的暴露区域或形成硅层的暴露区域的一部分。