[发明专利]能够改变色彩饱和度的方法和结构无效
申请号: | 201180024848.2 | 申请日: | 2011-05-16 |
公开(公告)号: | CN103003735A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 刘坚;科斯塔丁·乔尔杰夫;马克·莫里斯·米尼亚尔 | 申请(专利权)人: | 高通MEMS科技公司 |
主分类号: | G02B26/00 | 分类号: | G02B26/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 吴晓辉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 能够 改变 色彩 饱和度 方法 结构 | ||
相关申请案的交叉参考
本发明主张2010年10月22日申请的标题为“能够改变色彩饱和度的方法和结构(METHOD AND STRUCTURE CAPABLE OF CHANGING COLOR SATURATION)”的第12/910,694号美国专利申请案的优先权,第12/910,694号美国专利申请案主张2010年5月20日申请的标题为“能够改变色彩饱和度的方法和结构(METHOD AND STRUCTURE CAPABLE OF CHANGING COLOR SATURATION)”的第61/346,846号美国临时专利申请案的优先权,所述申请案中的每一者在此转让给本案受让人。先前申请案的揭示内容被视为本发明的部分且被以引用的方式并入本发明中。
技术领域
本发明涉及包括机电系统的显示器。
背景技术
机电系统包括具有电元件和机械元件、激活器、换能器、传感器、光学组件(例如,镜面)和电子设备的装置。可以多种尺度来制造机电系统,所述多种尺度包括(但不限于)微尺度和纳米尺度。举例来说,微机电系统(MEMS)装置可包括如下结构:具有在从约一微米到数百微米或数百微米以上的范围内的大小。纳米机电系统(NEMS)装置可包括如下结构:具有小于一微米的大小(包括(例如)小于几百纳米的大小)。可使用沉积、蚀刻、光刻,和/或蚀刻掉衬底和/或所沉积材料层的多个部分或添加层以形成电装置和机电装置的其它微机械加工工艺来产生机电元件。
一种类型的机电系统装置称为干涉式调制器(IMOD)。如本文中所使用,术语“干涉式调制器”或“干涉式光调制器”指代使用光学干涉的原理选择性地吸收和/或反射光的装置。在一些实施方案中,干涉式调制器可包括一对导电板,所述对导电板中的一者或两者可整体或部分为透明的和/或反射的,且能够在施加适当电信号后即刻进行相对运动。在一实施方案中,一个板可包括沉积于衬底上的固定层,且另一板可包括通过气隙与所述固定层分离的金属薄膜。一个板相对于另一板的位置可改变入射于干涉式调制器上的光的光学干涉。干涉式调制器装置具有广泛范围的应用,且被预期用于改进现存产品且创造新的产品,尤其是具有显示能力的产品。
发明内容
本发明的系统、方法和装置各自具有若干创新方面,其中无单一者仅负责本文中所揭示的合意的属性。
本发明中所描述的标的物的一个发明性方面可实施于一种用于调制光的装置中,所述装置包含:可移动反射器;部分反射器,其定位于距所述可移动反射器第一距离处;衬底,其定位于距所述部分反射器固定距离处,所述衬底具有与所述部分反射器不同的折射率;以及多层,其经配置以提供所述部分反射器与所述衬底之间的折射率梯度,所述多层包括至少两个电介质层,其中所述至少两个电介质层的相应折射率经配置以提供从所述部分反射器到所述衬底的所述折射率的减小,借此此增加由所述装置反射的光的色彩饱和度。
在一些实施方案中,所述部分反射器的所述折射率可大于所述衬底的所述折射率。在一些实施方案中,包括于所述多层中的至少一个电介质层可形成彩色滤光片。在一些实施方案中,所述彩色滤光片可为红色滤光片,其实质上抑制与青色色调相关联的光波长。在一些实施方案中,所述彩色滤光片可为蓝色滤光片,其实质上抑制与黄色色调相关联的光波长。在一些实施方案中,所述彩色滤光片可为绿色滤光片,其实质上抑制与洋红色色调相关联的光波长。
在一些实施方案中,所述至少两个电介质层的相应折射率可经配置以提供从所述部分反射器到所述衬底的所述折射率的多个减小,借此增加由所述装置反射的光的所述色彩饱和度。在一些实施方案中,所述至少两个电介质层的相应折射率可经配置以提供从所述部分反射器到所述衬底的所述折射率的至少三个减小,借此增加由所述装置反射的光的所述色彩饱和度。在一些实施方案中,至少三个电介质层的相应折射率可经配置以提供从所述部分反射器到所述衬底的所述折射率的至少四个减小,借此增加由所述装置反射的光的所述色彩饱和度。
本发明中所描述的标的物的另一发明性方面可实施于一种用于调制光的装置中,所述装置包含:可移动反射器;部分反射器,其定位于距所述可移动反射器第一距离处;衬底,其定位于距所述部分反射器固定距离处,所述衬底具有与所述部分反射器不同的折射率;以及电介质层,其具有在所述部分反射器的折射率与所述衬底的折射率之间的折射率和足以产生增加由所述装置反射的光的饱和度的干涉滤光效应的厚度,其中从所述电介质层与所述衬底之间排除金属层。
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