[发明专利]改进的烷基化方法

权利要求书

1.由具有催化剂毒物的至少部分未处理的可烷基化芳族化合物物流和烷基化剂物流生产已烷基化芳族化合物物流的方法，其中处理所述可烷基化芳族化合物物流以减少催化剂毒物，该方法包括下述步骤：

(a)在处理条件下，使具有所述催化剂毒物的所述可烷基化芳族化合物物流和烷基化剂物流与处理组合物在独立于烷基化反应区的处理区内接触，以除去至少一部分所述催化剂毒物和烷基化至少一部分所述可烷基化芳族化合物从而形成处理过的流出物物流，所述流出物物流包括处理过的可烷基化芳族化合物、已烷基化芳族化合物和降低量的催化剂毒物，其中所述处理组合物的表面积/表面体积比大于30in^-1(76cm^-1)，所述处理条件包括约30℃到约300℃的温度和约101kPa-约4601kPa的压力，和未处理的可烷基化芳族化合物与烷基化剂的摩尔比大于或等于约25:1；和

(b)在至少部分液相催化转化条件下，使所述流出物物流内的所述处理过的可烷基化芳族化合物和额外的所述烷基化剂物流与催化剂组合物在独立于所述处理区的所述烷基化反应区内接触以形成烷基化流出物物流，所述烷基化流出物物流包括额外的已烷基化芳族化合物，其中所述催化剂组合物包括具有选自FAU、*BEA、MOR、MWW及其混合物中的骨架结构类型的多孔结晶材料，其中所述至少部分液相催化转化条件包括约100℃-约300℃的温度，约689kPa-约4601kPa的压力，处理过的可烷基化芳族化合物与烷基化剂的摩尔比为约0.01:1-约25:1，和基于烷基化剂的原料重时空速(WHSV)为约0.5-约500hr^-1。

2.权利要求1的方法，其中所述催化剂毒物包括至少一种下述元素：氮、卤素、氧、硫、砷、硒、碲、磷、和第1族-第12族的金属。

3.权利要求2的方法，其中在所述接触步骤(a)中除去在所述可烷基化芳族化合物物流内的至少10wt.%所述催化剂毒物。

4.权利要求1的方法，其中所述处理组合物包括多孔结晶材料。

5.权利要求4的方法，其中所述处理组合物中的所述多孔结晶材料是选自沸石β、八面沸石、沸石Y、超稳沸石Y(USY)、脱铝沸石Y(Dea lY)、稀土沸石Y(REY)、超疏水沸石Y(UHP-Y)、丝光沸石、TEA-丝光沸石、ZSM-3、ZSM-4、ZSM-5、ZSM-14、ZSM-18、ZSM-20、及其结合物中的分子筛。

6.权利要求1的方法，其中所述处理组合物选自粘土、树脂、固体磷酸、活性氧化铝、林德X型、林德A型及其结合物。

7.权利要求6的方法，其中所述林德X型是13X，和所述林德A型是4A或5A。

8.权利要求4的方法，其中所述多孔结晶材料或所述处理组合物进一步包括粘合剂，所述粘合剂选自氧化铝、二氧化硅、氧化钛、氧化锆、粘土及其混合物。

9.权利要求1的方法，其中具有所述FAU骨架结构类型的所述多孔结晶材料是八面沸石、沸石Y、超稳沸石Y(USY)、脱铝沸石Y(Deal Y)、稀土沸石Y(REY)、超疏水沸石Y(UHP-Y)或其混合物。

10.权利要求1的方法，其中具有所述*BEA骨架结构类型的所述多孔结晶材料是沸石β。

11.权利要求1的方法，其中具有所述MOR骨架结构类型的所述多孔结晶材料是丝光沸石、TEA-丝光沸石或其混合物。

12.权利要求1的方法，其中具有所述MWW骨架结构类型的所述多孔结晶材料以原样合成或者煅烧形式具有X-射线衍射图案，该X-射线衍射图案包括在12.4±0.25、6.9±0.15、3.57±0.07和3.42±0.07埃处的d-间距最大值。

13.权利要求1的方法，其中具有MWW骨架结构类型的所述多孔结晶材料是PSH-3、SSZ-25、ERB-1、ITQ-1、ITQ-2、ITQ-30、MCM-22、MCM-36、MCM-49、MCM-56、UZM-8、EMM-10、EMM-12、EMM-13或其混合物。

14.权利要求1的方法，其中所述可烷基化芳族化合物选自苯、萘、蒽、并四苯、苝、晕苯、菲、及其混合物。