[发明专利]使用离子植入修改衬底图案特征的方法及系统

权利要求书

1.一种处理光刻胶特征的方法，包括：

在制程腔室中产生等离子体，所述制程腔室具有等离子体鞘，所述等离子体鞘邻近于衬底的第一表面，所述衬底的所述第一表面面对所述等离子体鞘；以及

以等离子体鞘修改器修改所述等离子体和所述等离子体鞘之间定义的边界的形状，其中部分的所述边界的形状不平行于由所述衬底的所述第一表面定义的平面，其中来自所述等离子体的离子相对于所述平面以一个角度范围撞击所述衬底的表面。

2.根据权利要求1所述的处理光刻胶特征的方法，其中所述修改的操作包括产生由一对构件定义的间距，所述构件包括绝缘体、半导体和金属其中之一；以及

其中所述间距附近的所述边界的形状相对于所述平面是凸状。

3.根据权利要求1所述的处理光刻胶特征的方法，其中所述修改的操作包括产生在板材中的间距，所述板材包括绝缘体、导体和半导体其中之一；以及

其中所述间距附近的所述边界的形状相对于所述平面是凸状。

4.根据权利要求2所述的处理光刻胶特征的方法，其中入射角度的所述范围以大约0度为中心介于大约正60度和负60度之间。

5.根据权利要求1所述的处理光刻胶特征的方法，其中所述离子的能量和种类经配置以实质上降低在所述衬底上的图案化光刻胶特征的线宽粗糙度。

6.根据权利要求1所述的处理光刻胶特征的方法，其中第一曝露足以产生低频率线宽粗糙度的实质上的降低。

7.根据权利要求1所述的处理光刻胶特征的方法，其中来自所述等离子体的所述离子是惰性气体离子。

8.一种图案化衬底的方法，包括：

提供第一组图案化光刻胶特征在衬底上；

曝露所述第一组图案化光刻胶特征于自等离子体鞘修改器提取的离子的第一曝露，所述等离子体鞘修改器可操作地相对于所述衬底提供多重角度范围的离子入射到所述衬底上；以及

于所述衬底上实施微影图案化制程，以形成第二组图案化光刻胶特征。

9.根据权利要求8所述的图案化衬底的方法，其中利用双图案化微影制程以形成所述第一组图案化光刻胶特征和所述第二组图案化光刻胶特征。

10.根据权利要求8所述的图案化衬底的方法，其中操作所述第一曝露以硬化所述第一组图案化光刻胶特征，所述第一组图案化光刻胶特征于所述微影图案化制程时保留完整以形成所述第二组图案化光刻胶特征。

11.根据权利要求8所述的图案化衬底的方法，其中所述等离子体鞘修改器包括第一绝缘体部分和第二绝缘体部分，所述第一绝缘体部分和所述第二绝缘体部分之间定义出一个间距，使得邻近所述间距的等离子体的边界的形状相对于所述衬底的平面是凸状。

12.根据权利要求8所述的图案化衬底的方法，其中所述第一曝露包括对于惰性气体离子的曝露。

13.根据权利要求8所述的图案化衬底的方法，其中所述第一曝露的所述离子的离子能量大约小于20千电子伏特。

14.根据权利要求8所述的图案化衬底的方法，其中于所述第一曝露后实质上降低所述第一组图案化光刻胶特征的线宽粗糙度。

15.根据权利要求8所述的图案化衬底的方法，还包括曝露所述第一组图案化光刻胶特征和所述第二组图案化光刻胶特征于自等离子体鞘修改器提取的离子的第二曝露，所述等离子体鞘修改器可操作地以广角度范围提供离子入射到所述衬底上，其中在所述第二曝露后降低所述第二组图案化光刻胶特征的线宽粗糙度。

16.一种植入衬底中的图案化结晶特征的方法，包括：

在具有等离子体鞘的等离子体腔室中产生等离子体，所述等离子体鞘邻近于定位在所述制程腔室中的所述衬底的第一面；

以等离子体鞘修改器修改所述等离子体和所述等离子体鞘之间的边界的形状，使得部分所述边界的形状不平行于由面对所述等离子体的所述衬底的前表面定义的平面；以及

提供偏压介于所述衬底和所述等离子体之间，其中离子以广角度范围植入图案化结晶特征而不引起表面皱化于所述图案化结晶特征中。

17.根据权利要求16所述的植入衬底中的图案化结晶特征的方法，其中所述图案化结晶特征是基于硅的特征。