[发明专利]光伏器件导电层

权利要求书

1.一种多层结构，所述多层结构包括：

阻挡层，与基底相邻；

透明导电氧化物层，与阻挡层相邻；以及

缓冲层，包括掺杂剂且与透明导电氧化物层相邻。

2.如权利要求1所述的多层结构，其中，掺杂剂选自于由铜、砷和锑组成的组。

3.如权利要求1所述的多层结构，其中，掺杂的缓冲层包括从由氧化锡、氧化锌、锡酸锌、氧化锌锰和氧化锡硅组成的组中选择的材料。

4.如权利要求1所述的多层结构，其中，掺杂的缓冲层包括多个层。

5.如权利要求4所述的多层结构，其中，所述多个层中的一个层包括掺杂的层，所述多个层中的另一个层为未掺杂的层，并且所述掺杂的层与所述未掺杂的层相邻。

6.如权利要求1所述的多层结构，其中，掺杂的缓冲层具有不小于大约1×10¹⁵/cm²的掺杂剂浓度。

7.如权利要求1所述的多层结构，其中，掺杂的缓冲层包括氧化锡，并且具有大约10^-5至大约10^-1的掺杂剂与氧化锡之比。

8.如权利要求1所述的多层结构，所述多层结构还包括与掺杂的缓冲层相邻的半导体窗口层，其中，半导体窗口层包括从由硫化镉、硫化锌、硫化镉锌和氧化锌锰组成的组中选择的材料。

9.如权利要求8所述的多层结构，所述多层结构还包括与掺杂的缓冲层相邻的半导体吸收层，其中，半导体吸收层包括从由碲化镉、碲化锌和碲化镉锌组成的组中选择的材料。

10.如权利要求9所述的多层结构，其中，所述多层结构具有不小于大约1×10¹⁴/cm³的载流子浓度。

11.一种制造多层结构的方法，所述方法包括：

形成与透明导电氧化物层相邻的掺杂的缓冲层，其中，透明导电氧化物层与基底相邻；

形成与缓冲层相邻的半导体窗口层；

形成与半导体窗口层相邻的半导体吸收层；以及

将多层结构加热到足以使掺杂剂从缓冲层扩散到半导体吸收层中的温度。

12.如权利要求11所述的方法，其中，加热多层结构的步骤包括将多层结构加热到大于300℃的温度。

13.如权利要求11所述的方法，其中，加热多层结构的步骤包括将多层结构加热到大于450℃的温度。

14.如权利要求11所述的方法，其中，加热多层结构的步骤包括将多层结构加热到大于600℃的温度。

15.如权利要求11所述的方法，其中，加热多层结构的步骤包括将多层结构加热到大于750℃的温度。

16.如权利要求11所述的方法，其中，掺杂剂包括从由铜、砷和锑组成的组中选择的材料。

17.如权利要求11所述的方法，所述方法还包括：在形成掺杂的缓冲层之前，形成与基底相邻的透明导电氧化物层。

18.如权利要求11所述的方法，其中，形成掺杂的缓冲层的步骤包括从分开的溅射靶共溅射缓冲层材料和掺杂剂。

19.如权利要求14所述的方法，其中，缓冲层材料包括锡，掺杂剂包括从由铜、砷和锑组成的组中选择的材料。

20.如权利要求11所述的方法，其中，形成掺杂的缓冲层的步骤包括：形成与透明导电氧化物层相邻的缓冲层，并且利用掺杂剂对缓冲层进行掺杂。

21.如权利要求11所述的方法，其中，掺杂的缓冲层具有不少于大约1×10¹⁵/cm²的掺杂剂。

22.如权利要求11所述的方法，其中，形成掺杂的缓冲层的步骤包括反应溅射工艺。

23.如权利要求11所述的方法，其中，形成掺杂的缓冲层的步骤包括常压化学气相沉积。

24.如权利要求11所述的方法，所述方法还包括加热包括透明导电氧化物层的透明导电氧化物堆叠件的附加步骤，以使透明导电氧化物堆叠件退火。