[发明专利]生成沉积物的方法和硅基底表面上的沉积物

权利要求书

1.在硅基底表面上生成沉积物的方法，所述沉积物包含氧化铝，其特征在于，所述方法包括下述任何顺序的交替步骤：

a）将作为氧前体的水和臭氧中的一种引入反应空间，使得至少部分所述氧前体吸附到所述硅基底的沉积表面上，

b）将作为氧前体的水和臭氧中的另一种引入反应空间，使得至少部分所述氧前体吸附到所述硅基底的沉积表面上，

c）将铝前体引入反应空间，使得至少部分铝前体吸附到所述硅基底的沉积表面上，并随后吹扫所述反应空间，

条件是，当步骤a）或步骤b）在步骤c）前时，则在步骤c）前吹扫所述反应空间，和当步骤a）在步骤b）前时或当步骤b）在步骤a）前时，不在步骤a）与步骤b）之间吹扫所述反应空间。

2.权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤a）和步骤b）以任何顺序，顺序地进行。

3.权利要求1-2任一项所述的方法，其特征在于，所述铝前体选自含铝的有机金属化学剂。

4.权利要求1–3任一项所述的方法，其特征在于，所述铝前体选自三甲基铝和三乙基铝。

5.权利要求1–4任一项所述的方法，其特征在于，在反应空间中所述沉积物通过ALD型方法在所述硅基底表面上生成。

6.权利要求5所述的方法，其特征在于，在ALD型方法中所述沉积物的生长主要是热激活的。

7.权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括重复至少一次步骤a）、b）和c）中的至少一步。

8.权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括以任何顺序依次重复步骤a）、b）和c）至少一次。

9.权利要求1–8任一项所述的方法，其特征在于，所述硅基底表面包含单晶硅。

10.权利要求1–8任一项所述的方法，其特征在于，所述硅基底表面包含多晶硅。

11.权利要求1–8任一项所述的方法，其特征在于，所述硅基底表面包含微晶硅。

12.权利要求1–11任一项所述的方法，其特征在于，所述硅基底表面上的所述沉积物是钝化沉积物。

13.硅基底表面上的沉积物，所述沉积物包含氧化铝，其通过权利要求1–12任一项所述的方法得到。

14.权利要求13所述的沉积物，其特征在于，所述硅基底表面上的沉积物是钝化沉积物。