[发明专利]信令系统、前置放大器、存储器装置及方法有效
申请号: | 201180023082.6 | 申请日: | 2011-04-04 |
公开(公告)号: | CN102884579A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 李成勋 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10;H03K19/0175 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 系统 前置放大器 存储器 装置 方法 | ||
1.一种信令系统,其包括:
信号路径;
发射器,其经配置以接收第一数字信号并在输出节点处将对应于所述数字信号的所发射信号提供到所述信号路径;及
接收器系统,其包括:
前置放大器,其经耦合以从所述信号路径接收所述所发射信号,所述前置放大器经配置以提供对应于由所述前置放大器接收的所述所发射信号的经放大信号,所述前置放大器包括共用栅极放大晶体管;及
接收器,其经耦合以从所述前置放大器接收所述经放大信号,所述接收器经配置以提供对应于由所述接收器接收的所述经放大信号的第二数字信号。
2.根据权利要求1所述的信令系统,其中所述信号路径包括未由任何阻抗匹配装置端接的信号线。
3.根据权利要求1所述的信令系统,其中所述信号路径包括穿硅通孔。
4.根据权利要求1所述的信令系统,其中所述前置放大器进一步包括:
负载阻抗,其耦合于所述共用栅极放大晶体管的漏极与第一供应电压节点之间;
泄放器阻抗,其耦合于所述共用栅极放大晶体管的源极与第二供应电压节点之间;且
其中所述共用栅极放大晶体管的栅极经配置以耦合到偏置电压。
5.根据权利要求4所述的信令系统,其中所述负载阻抗包括电阻。
6.根据权利要求4所述的信令系统,其中所述负载阻抗包括具有栅极、源极及漏极的第二晶体管,所述漏极耦合到所述第一供应电压节点,所述源极耦合到所述共用栅极放大晶体管的所述漏极,且所述栅极经配置以耦合到另一偏置电压。
7.根据权利要求4所述的信令系统,其中所述泄放器阻抗包括耦合于所述共用栅极放大晶体管的所述源极与所述第二供应电压节点之间的电阻器。
8.根据权利要求4所述的信令系统,其中所述泄放器阻抗包括具有栅极、源极及漏极的第二晶体管,所述源极耦合到所述第二供应电压节点,所述漏极耦合到所述共用栅极放大晶体管的所述源极,且所述栅极被配置成经耦合以接收另一偏置电压。
9.根据权利要求4所述的信令系统,其进一步包括经配置以提供所述偏置电压的偏置电压源,其中所述偏置电压源包括:
第二晶体管,其具有栅极、源极及漏极,所述源极耦合到所述第二供应电压节点且所述漏极耦合到输出电压节点;
第二负载阻抗,其耦合于所述第二晶体管的所述漏极与所述第一供应电压节点之间;
第二泄放器阻抗,其耦合于所述第二晶体管的所述源极与所述第二供应电压节点之间;及
差分放大器,其具有耦合到所述输出电压节点的第一输入节点、经耦合以接收参考电压的第二输入节点及耦合到所述第二晶体管的所述栅极的输出节点,所述差分放大器经配置以产生具有对应于所述第一与第二输入节点处的电压之间的差的量值的所述偏置电压。
10.根据权利要求4所述的信令系统,其中所述共用栅极放大晶体管包括NMOS晶体管。
11.根据权利要求1所述的信令系统,其中所述接收器包括:
差分放大器,其具有经耦合以从所述前置放大器接收所述经放大信号的第一输入节点及经耦合以接收参考电压的第二输入节点,所述差分放大器经配置以在输出节点处提供具有对应于所述第一与第二输入节点处的电压之间的差的量值的所述第二数字信号。
12.根据权利要求11所述的信令系统,其进一步包括经配置以提供所述参考电压的参考电压源,其中所述参考电压源包括:
晶体管,其具有经配置以接收偏置电压的栅极、源极及漏极,所述漏极耦合到参考电压输出节点;
负载阻抗,其耦合于所述晶体管的所述漏极与第一供应电压节点之间;及
泄放器阻抗,其耦合于所述晶体管的所述源极与第二供应电压节点之间。
13.根据权利要求12所述的信令系统,其进一步包括低通滤波器,所述低通滤波器经配置以将所述偏置电压耦合到所述晶体管的所述栅极。
14.根据权利要求1所述的信令系统,其中所述发射器经配置以提供具有小于约50毫伏的振幅的所述所发射信号。
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