[发明专利]耐压型接口电路

权利要求书

1.一种耐压型接口电路(100)，其具有以下特征：

整流器电路(20)，其被构造用于根据存在于整流器输入端(20a,20b)上的整流器输入电压，在整流器输出端(20c,20d)上提供经过整流的整流器输出电压；和

达林顿电路(30)，其具有至少两个晶体管(Q3,Q4)，其中，该达林顿电路具有可根据控制信号(62)来控制的输出侧电流路径(35)，其中，该可控的输出侧电流路径(35)连接在所述整流器输出端(20c,20d)之间。

2.根据权利要求1所述的耐压型接口电路(100)，其中，该可控的输出侧电流路径(35)被构造用于在所述整流器输出端(20c,20d)之间形成可根据控制信号(62)变化的负载。

3.根据权利要求1或2所述的耐压型接口电路(100)，其中，该耐压型接口电路还具有电容器(C1,C7)，该电容器与该达林顿电路(30)的晶体管(Q3,Q4)的控制极端相连，并且该电容器被设计用于抑制在相应的所述晶体管(Q3,Q4)的电流路径中的电流变化。

4.根据权利要求3所述的耐压型接口电路(100)，其中，所述电容器(C1,C7)的电容相当于所述晶体管的米勒电容的至少100倍，所述电容器(C1,C4)连接在所述晶体管的控制极端上。

5.根据权利要求3或4所述的耐压型接口电路(100)，其中，如此选择所述电容器(C1,C7)的电容值，即，当存在不激活控制信号(62)时，在该可控的输出侧电流路径(35)上的1000伏电压脉冲不会导致该可控的输出侧电流路径(35)的导通。

6.根据前述权利要求之一所述的耐压型接口电路(100)，所述耐压型接口电路还具有第二电容器(C1,C7)，所述第二电容器与所述达林顿电路(30)的第二晶体管(Q3,Q4)的控制极端相连，并且所述第二电容器被设计用于抑制在所述第二晶体管(Q3,Q4)的电流路径中的电流变化。

7.根据前述权利要求之一所述的耐压型接口电路(100)，其中，该达林顿电路(30)具有双极性晶体管(Q3,Q4)，所述双极性晶体管具有至少500伏特、至少600伏或至少1000伏的集电极-发射极-耐压强度。

8.根据前述权利要求之一所述的耐压型接口电路(100)，其中，该达林顿电路(30)具有至少1500倍的电流放大倍数，从而在该达林顿电路(30)的导通状态下，在该可控的输出侧电流路径(35)中能够提供1mA～300mA的电流。

9.根据前述权利要求之一所述的耐压型接口电路(100)，所述耐压型接口电路还具有电流源(40)，该电流源连接在第一整流器输出端(20c)和该达林顿电路(30)的控制极端(30a)之间，其中该电流源被设计用于限制该达林顿电路的控制电流。

10.根据权利要求9所述的耐压型接口电路(100)，所述耐压型接口电路还具有节点(70)，该节点电连接在该电流源(40)、该达林顿电路(30)的该控制极端(30a)和用于限制电压的电路结构(50)之间。

11.根据权利要求10所述的耐压型接口电路(100)，其中，该节点还与用于接收该控制信号(62)的光耦合器(Q5)相连，并且其中，该光耦合器(Q5)与该达林顿电路(30)的控制极端(30a)相连。

12.根据权利要求10或11所述的耐压型接口电路(100)，其中，该用于限制电压的电路结构(50)包括光耦合器的发光二极管(LED)，该发光二极管被构造用于根据存在于该整流器输入端(20a,20b)的信号来激发该光耦合器的光电接收器。

13.根据权利要求9至12之一所述的耐压型接口电路(100)，其中，该电路结构(50)具有沿截止方向布置的齐纳二极管(Z3)。

14.根据前述权利要求之一所述的耐压型接口电路(100)，其中，该耐压型接口电路具有设于该整流器输入端(20a,20b)上游的滤波器(85)，其中，该滤波器(85)被设计用于衰减到达该整流器输入端(20a,20b)的电压脉冲。