[发明专利]用于微机电系统的化学机械研磨处理流程

权利要求书

1.一种方法，所述方法包含：

在一基板上沉积一或多个导电层，所述基板拥有一第一介电层，所述第一介电层具有延伸穿过所述第一介电层间至下层内连线结构的介层洞；

图案化所述一或多个导电层以暴露出所述第一介电层的至少一部分；

在所述图案化的一或多个导电层以及所述暴露出的第一介电层上沉积一第二介电层；

化学机械研磨所述第二介电层与所述图案化的导电层之至少一部分，以产生经研磨的电极；

封装所述第一介电层与所述经研磨的电极；以及

形成一悬臂式元件，所述悬臂式元件与所述经研磨的电极之至少一部分电气接触。

2.如权利要求第1项所述之方法，其中所述一或多个导电层包含复数个层，所述复数个层含有：

一第一导电层；以及

一第二导电层，具有比所述第一导电层高的片电阻。

3.如权利要求第2项所述之方法，其中所述第一导电层包含铝－铜，且所述第二导电层包含氮化钛。

4.如权利要求第3项所述之方法，其中所述第一导电层经沉积至介于约5000埃至约9000埃之间的一厚度，且所述第二导电层经沉积至介于约2000埃至约3500埃之间的一厚度。

5.如权利要求第1项所述之方法，其中所述第二介电层包含二氧化硅。

6.如权利要求第1项所述之方法，其中所述化学机械研磨包含除去约2000埃至约3500埃之间的所述一或多个图案化导电层。

7.如权利要求第1项所述之方法，其中所述第二介电层包含高密度电浆沉积的四乙氧基硅烷。

8.如权利要求第1项所述之方法，其中所述沉积所述第二介电层包含沉积多个介电层。

9.如权利要求第8项所述之方法，其中所述多个介电层包含一HDP-SiO₂层与一PE-TEOS层。

10.一种方法，所述方法包含：

形成复数个介层洞，所述复数个介层洞穿透形成在一基板上的一介电层，以暴露出一或多个内连线构件；

调整所述复数个介层洞的一或多个介层洞以形成一或多个沟槽；

在所述介电层上、所述暴露出的一或多个内连线构件上以及所述复数个介层洞与所述一或多个沟槽两者内沉积一或多个导电层；

化学机械研磨所述一或多个导电层，以暴露出所述介电层的至少一部分并形成MEMS(微机电系统)电极；

封装所述介电层与所述MEMS电极；以及

形成一悬臂式元件，所述悬臂式元件与所述MEMS电极的至少一者电气接触。

11.如权利要求第10项所述之方法，其中所述一或多个导电层包含复数个层，所述复数个层含有：

一或多个内衬层；以及

一主体层。

12.如权利要求第11项所述之方法，其中所述一或多个内衬层包含钛，且所述主体层选自由铜、钨及以上物质之组合物所组成的群组。

13.如权利要求第12项所述之方法，其中所述一或多个内衬层包含一钛层，且一氮化钛层覆于所述钛层上。

14.如权利要求第10项所述之方法，其中至少一沟槽相邻两个介层洞设置，所述两个介层洞与所述至少一沟槽隔开。

15.如权利要求第10项所述之方法，其中所述悬臂式元件与设置在所述一或多个沟槽内的所述MEMS电极隔开。

16.如权利要求第15项所述之方法，其中所述悬臂式元件与设置在所述复数个介层洞内的至少一MEMS电极隔开。

17.一种方法，所述方法包含：

形成一或多个介层洞，所述一或多个介层洞穿透一第一介电层，以暴露出一或多个内连线构件；

在所述第一介电层内形成一或多个沟槽，使得所述一或多个沟槽与一或多个介层洞连接；

在具有一第一材料之所述一或多个介层洞内、所述一或多个沟槽内以及所述第一介电层上沉积一或多个导电层；

化学机械研磨所述一或多个导电层，以暴露出所述第一介电层并在所述一或多个沟槽内形成一或多个MEMS电极；

封装所述第一介电层与所述一或多个MEMS电极；以及

形成一悬臂式元件，所述悬臂式元件与所述一或多个MEMS电极电气接触。