[发明专利]在扩散P型区域上方形成负电荷钝化层的方法

权利要求书

1.一种形成太阳能电池装置的至少一部分的方法，包含下列步骤：

形成第一层，该第一层具有负电荷位在形成于太阳能电池基板中的p-型掺杂区域的表面上；以及

于该第一层上形成体层。

2.如权利要求1所述的方法，其中该形成的体层具有净正电荷。

3.如权利要求2所述的方法，其中存在于该第一层中的净负电荷的量大于等于该体层中的净正电荷的量。

4.如权利要求1所述的方法，其中存在该第一层中的净负电荷的量适于在该太阳能电池基板的该表面处达到大于1×10¹²库伦/cm²的电荷密度。

5.如权利要求1所述的方法，还包括下列步骤：

在形成该第一层之前，将形成于该太阳能电池基板上的该p-型掺杂区域的表面暴露至反应性气体，该反应性气体包含氮、氟或氢；以及

在形成该第一层之前，将该p-型掺杂区域的该表面暴露至RF等离子体，以移除设置于该表面上的死区的至少一部分。

6.如权利要求1所述的方法，其中形成该第一层包含下列步骤：

产生RF等离子体以于该表面上沉积该第一层，该RF等离子体包含含氟气体或含氯气体。

7.如权利要求1所述的方法，其中形成该第一层的步骤包含下列步骤：形成层，该层包含氧化硅(Si_xO_y)、氮氧化硅(SiON)、氮碳氧化硅(SiOCN)、碳氧化硅(SiOC)、氧化钛(Ti_xO_y)、氧化钽(Ta_xO_y)、氧化镧(La_xO_y)、氧化铪(Hf_xO_y)、氮化钛(Ti_xN_y)、氮化钽(Ta_xN_y)、氮化铪(HfN)、氮氧化铪(HfON)、氮化镧(LaN)、氮氧化镧(LaON)、氯化氮化硅(Si_xN_y:Cl)、氯化氧化硅(Si_xO_y:Cl)、氟化氧化硅(Si_xO_y:F)、氟化氮化硅(Si_xN_y:F)、非晶硅、非晶碳化硅或氧化铝(Al₂O₃)。

8.如权利要求1所述的方法，其中形成该第一层的步骤还包括下列步骤：

安置该太阳能电池基板于处理腔室的处理区域中；以及

将气体混合物流入该处理区域内，该气体混合物包含硅烷(SiH₄)、氮以及卤素气体，其中该卤素气体包含氟或氯。

9.如权利要求8所述的方法，其中形成该第一层的步骤还包括下列步骤：

通过传送RF功率至设置于该太阳能电池基板的该表面上的电极，来在该太阳能电池基板的表面上形成电容耦合等离子体。

10.一种形成于太阳能电池装置中的钝化层结构，包含：

一个或多个p-型掺杂区域，其形成于太阳能电池基板的表面中；

第一层，其具有净负电荷，其中该第一层设置于该一个或多个p-型掺杂区域上；以及

体层，其设置于该第一层上，其中该体层具有净正电荷。

11.如权利要求10所述的钝化层结构，其中存在于该第一层中的净负电荷的量大于等于该体层中的净正电荷的量。

12.如权利要求10所述的钝化层结构，其中存在该第一层中的净负电荷的量适于在该太阳能电池基板的该表面处达到大于1×10¹²库伦/cm²的电荷密度。