[发明专利]相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模

权利要求书

1.一种相移掩模坯料，其是为了制作应用ArF准分子激光曝光光的相移掩模而使用的相移掩模坯料，其特征在于，

在透光性基板上具备半透光膜，

所述半透光膜由以过渡金属、硅和氮为主要成分的不完全氮化物膜构成，

所述半透光膜的过渡金属在过渡金属和硅之间的含有比率小于9%。

2.如权利要求1所述的相移掩模坯料，其特征在于，所述半透光膜的过渡金属在过渡金属和硅之间的含有比率为2%以上。

3.如权利要求1或2所述的相移掩模坯料，其特征在于，所述不完全氮化膜含有Mo-N键和Mo-Si键，与Mo-N相比，含有相对多的Mo-Si键。

4.如权利要求1～3任一项所述的相移掩模坯料，其特征在于，所述不完全氮化膜主要含有Si-N键和Mo-Si键。

5.如权利要求1～3任一项所述的相移掩模坯料，其特征在于，所述半透光膜对于所述曝光光的波长的透过率为4%以上且小于9%。

6.如权利要求1～5任一项所述的相移掩模坯料，其特征在于，所述半透光膜的氮含量为40原子%以上47原子%以下。

7.如权利要求1～6任一项所述的相移掩模坯料，其特征在于，所述过渡金属为钼。

8.如权利要求1～7任一项所述的相移掩模坯料，其特征在于，所述半透光膜的膜厚为75nm以下。

9.一种相移掩模，其是为了制作应用ArF准分子激光曝光光的相移掩模而使用的相移掩模，其特征在于，

在透光性基板上具备半透光膜图案，

所述半透光膜图案由以过渡金属、硅和氮为主要成分的不完全氮化物膜构成，

所述半透光膜图案的过渡金属在过渡金属和硅之间的含有比率小于9%。

10.如权利要求9所述的相移掩模，其特征在于，所述半透光膜图案的过渡金属在过渡金属和硅之间的含有比率为2%以上。

11.如权利要求9或10所述的相移掩模，其特征在于，所述不完全氮化膜含有Mo-N键和Mo-Si键，与Mo-N相比，含有相对多的Mo-Si键。

12.如权利要求9～11任一项所述的相移掩模，其特征在于，所述不完全氮化膜主要含有Si-N键和Mo-Si键。

13.如权利要求9～12任一项所述的相移掩模，其特征在于，所述半透光膜图案中的氮含量为40原子%以上47原子%以下。

14.如权利要求9～13任一项所述的相移掩模，其特征在于，所述过渡金属为钼。

15.如权利要求9～14任一项所述的相移掩模，其特征在于，所述半透光膜图案的膜厚为75nm以下。

16.一种相移掩模坯料的制造方法，其是为了制作应用ArF准分子激光曝光光的相移掩模而使用的相移掩模坯料的制造方法，其特征在于，

该制造方法具备通过在含有氮气的气氛中进行溅射，从而在透光性基板上形成以过渡金属、硅和氮为主要成分的半透光膜的工序，

所述气氛中的氮气流量为与对所述过渡金属和硅进行完全氮化的流量相比更少的流量。

17.如权利要求16所述的相移掩模坯料的制造方法，其特征在于，相对于对所述过渡金属和硅进行完全氮化的流量，所述气氛中的氮气流量为超过70%且小于95%的流量。

18.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，使用权利要求1所述的相移掩模坯料制造转印用掩模，使用该转印用掩模在半导体晶片上形成电路图案。

19.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，使用权利要求9所述的相移掩模，在半导体晶片上形成电路图案。