[发明专利]激光束定位系统有效
| 申请号: | 201180017878.0 | 申请日: | 2011-03-30 |
| 公开(公告)号: | CN102834904A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
| 发明(设计)人: | 利奥尼德·M·泰尔蒂斯基;克里希纳·库马尔·库图安尔;阿伦·亨特;斯蒂芬·莫法特 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 激光束 定位 系统 | ||
1.一种用于对半导体基板进行热处理的设备,所述设备包括:
旋转基板支撑座;
辐射源,所述辐射源能够产生辐射光束,所述辐射光束于靠近所述旋转基板支撑座处实质上具有均匀强度,所述辐射光束于光束进入点处从所述辐射源发出;
固定光学路径长度光束定位组件,所述固定光学路径长度光束定位组件配置成与所述光束进入点光学连通,所述固定光学路径长度光束定位组件具有多个可移动光学部件;和
控制器,所述控制器耦接至所述基板支撑座与所述固定光学路径长度光束定位组件,所述控制器适于定位所述光束定位组件的光学部件以及基板的选择部分,所述基板位于所述基板支撑座上,使得所述光束照射所述选择部分,且所述光束的光学路径长度在基板的所有位置上都实质相同。
2.如权利要求1所述的设备,其中所述可移动光学部件包括第一反射镜和第二反射镜,所述第一反射镜耦接至第一线性定位器和第一旋转定位器,且所述第二反射镜耦接至第二线性定位器和第二旋转定位器。
3.如权利要求2所述的设备,其中所述第一线性定位器在第一方向中定向,所述第二线性定位器在所述第一方向中定向,且各旋转定位器绕着垂直于所述第一方向的轴而旋转。
4.如权利要求3所述的设备,进一步包括第三线性定位器,所述第三线性定位器耦接至所述第二反射镜,且在与所述第一方向垂直的第二方向中定向,其中各旋转定位器绕着垂直于所述第一方向与所述第二方向的轴而旋转。
5.如权利要求4所述的设备,其中所述辐射源包括致动光圈,所述致动光圈耦接至所述控制器,且所述控制器进一步适于根据所述光束在所述基板上的位置而定位光圈。
6.如权利要求5所述的设备,进一步包括光束定位检测器,所述光束定位检测器发送光束定位信号至所述控制器。
7.如权利要求5所述的设备,其中所述光束具有非均匀截面形状,且光源的最终光学元件的致动器使所述光圈旋转以定向所述光束。
8.如权利要求6所述的设备,其中所述光束定位检测器包括相机,所述相机适于检测所述光束的强度分布,所述最终光学元件包括变焦透镜,且所述控制器进一步适于根据所述光束的强度分布而调整所述变焦透镜。
9.一种用于激光退火腔室的光束定位组件,所述光束定位组件包括:
光束标定光学组件;
光束标定检测器;和
控制器,所述控制器适于以实质上固定的光学路径长度,将激光辐射的光束依序标定至多个位置。
10.如权利要求9所述的光束定位组件,其中所述光束标定光学组件包括至少两个致动反射镜,且所述控制器耦接至这些反射镜,且所述控制器适于通过移动所述反射镜,以实质上固定的光学路径长度来标定所述光束。
11.如权利要求9所述的光束定位组件,进一步包括致动进光光圈,所述致动进光光圈耦接至所述控制器,其中所述控制器适于通过使所述光圈在与所述激光辐射的光束的传播方向垂直的平面中移动,而标定所述光束。
12.如权利要求10或11所述的光束定位组件,其中所述光束标定检测器包括CCD矩阵。
13.一种用于将激光辐射的光束标定于表面上的靶材位置的方法,所述方法包括以下步骤:
通过旋转所述表面至可进入方向,准备所述靶材位置;
将捕光反射镜定位于所述靶材位置上方;
确定导光反射镜的反射点,使得从所述导光反射镜和所述捕光反射镜反射至所述表面的所述光束的光学路径长度实质上等于标定光学路径长度;
将所述导光反射镜移动至所述反射点;
旋转所述导光反射镜,以引导所述光束至所述捕光反射镜;和
旋转所述捕光反射镜,以引导所述光束至所述靶材位置。
14.如权利要求13所述的方法,进一步包括以下步骤:检测所述光束标定的准确性,并通过调整光束来源点来改良所述光束标定。
15.如权利要求13所述的方法,其中准备所述靶材位置、将所述捕光反射镜定位于所述靶材位置上方、移动所述导光反射镜、以及旋转所述导光反射镜与捕光反射镜的步骤同时进行。
16.如权利要求13所述的方法,进一步包括以下步骤:通过旋转位于光束来源点处的光圈,调整光束方向。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





