[发明专利]成型体、其制造方法、电子设备用构件和电子设备有效
| 申请号： | 201180017416.9 | 申请日： | 2011-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102947084A | 公开（公告）日： | 2013-02-27 |
| 发明（设计）人： | 铃木悠太;近藤健 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;C23C14/48;H01L31/042 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蔡晓菡;杨思捷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 成型 制造 方法 电子 备用 构件 电子设备 | ||
1. 成型体，其至少具有阻气层，其特征在于，
上述阻气层由含有硅原子、氧原子和碳原子的材料构成，该阻气层的表层部的硅原子、氧原子和碳原子的含量是在XPS的元素分析测定中，相对于硅原子、氧原子和碳原子的总计100原子％，碳原子的含量为10.0％～28.0％、硅原子的含量为18.0％～28.0％、氧原子的含量为48.0％～66.0％，且成型体在40℃、相对湿度90％气氛下的水蒸气透过率为5.3g/m2/天以下，波长550nm时的全光线透射率为90％以上。
2. 成型体，其具有在含有四官能有机硅烷化合物的水解/脱水缩合物的层中注入离子而得到的离子注入层。
3. 根据权利要求2所述的成型体，其特征在于，上述离子是将选自氢、氧、氮、氩、氦、氖、氙、氪、硅化合物和烃中的至少一种的气体进行离子化了的物质。
4. 根据权利要求2或3所述的阻气性成型体，其特征在于，上述离子注入层是在含有四官能有机硅烷化合物的水解/脱水缩合物的层中通过等离子体离子注入法注入离子而得到的层。
5. 根据权利要求2或3所述的成型体，其特征在于，上述四官能有机硅烷化合物为四（C1～C10）烷氧基硅烷。
6. 根据权利要求2或3所述的成型体的制造方法，其特征在于，具有下述步骤：向表面部具有含有四官能有机硅烷化合物的水解/脱水缩合物的层的成形物的、上述含有四官能有机硅烷化合物的水解/脱水缩合物的层的表面部注入离子。
7. 根据权利要求6所述的成型体的制造方法，其中，具有下述步骤：在表面部具有含有四官能有机硅烷化合物的水解/脱水缩合物的层的成形物的、上述含有四官能有机硅烷化合物的水解/脱水缩合物的层中，将选自氢、氮、氧、氩、氦、氖、氙、氪、硅化合物、和烃中的至少一种的气体进行离子注入。
8. 根据权利要求6所述的成型体的制造方法，其中，具有下述步骤：在表面部具有含有四官能有机硅烷化合物的水解/脱水缩合物的层的成形物的、上述含有四官能有机硅烷化合物的水解/脱水缩合化合物的层中，通过等离子体离子注入法将选自氢、氮、氧、氩、氦、氖、氙、氪、硅化合物、和烃中至少一种的气体的离子进行注入。
9. 根据权利要求6所述的成型体的制造方法，其特征在于，一边将在表面部具有含有四官能有机硅烷化合物的水解/脱水缩合物的层的长的成型物沿一定方向运送，一边向上述含有四官能有机硅烷化合物的水解/脱水缩合物的层中注入离子。
10. 电子设备用构件，其包含权利要求1～3中任一项所述的成型体。
11. 电子设备，其具有权利要求10所述的电子设备用构件。
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