[发明专利]半极性平面III-氮化物半导体基发光二极管和激光二极管的氮化铝镓阻挡层和分离限制异质结构(SCH)层

说明书

相关申请的交叉参考

本申请根据美国法典第35条119(e)款要求由You-Da Lin、Hiroaki Ohta、Shuji Nakamura、Steven P.DenBaars和James S.Speck在2010年4月5日提交的名称为“半极性平面III-氮化物半导体基发光二极管和激光二极管的AlGaN阻挡层和分离限制异质结构(SCH)层（AlGaN BARRIERS AND SEPARATE CONFINEMENT HETEROSTRUCTURE(SCH)LAYERS FOR SEMIPOLAR PLANE III-NITRIDE SEMICONDUCTOR-BASED LIGHT EMITTING DIODES AND LASER DIODES）”，代理人案号为30794.367-US-P1(2010-544-1)的共同未决和共同受让的美国临时专利申请序列号61/320,954的权益；

在此将该申请引入作为参考。

本申请涉及下列共同未决和共同受让的美国专利申请：

由DanielF.Feezell、Mathew C.Schmidt、Kwang Choong Kim、Robert M.Farrell、Daniel A.Cohen、James S.Speck、Steven P.DenBaars和Shuji Nakamura在2008年2月12日提交的名称为“无Al(x)Ga(1-x)N包层的非极性GaN基激光二极管和LED（Al(x)Ga(1-x)N-CLADDING-FREE NON POLAR GAN-BASED LASER DIODES AND LEDS）”，代理人案号为30794.222-US-U1(2007-424)的美国实用新型专利申请序列号12/030,117，该申请根据美国法典第35条119(e)款要求由Daniel F.Feezell、Mathew C.Schmidt、Kwang Choong Kim、Robert M.Farrell、Daniel A.Cohen、James S.Speck、Steven P.DenBaars和Shuji Nakamura在2007年2月12日提交的名称为“无Al(x)Ga(1-x)N包层的非极性GaN基激光二极管和LED（Al(x)Ga(1-x)N-CLADDING-FREE NONPOLAR GAN-BASED LASER DIODES AND LEDS）”，代理人案号为30794.222-US-P1(2007-424-1)的美国临时专利序列号60/889,510的权益；

由Arpan Chakraborty、You-Da Lin、Shuji Nakamura和Steven P.DenBaars在2010年6月7日提交的名称为“不对称包层的激光二极管（ASYMMETRICALLY CLADDED LASER DIODE）”，代理人案号30794.314-US-WO (2009-614-2)的PCT国际专利申请序列号US2010/37629，该申请根据美国法典第35条119(e)款要求由Arpan Chakraborty、You-Da Lin、Shuji Nakamura和Steven P.DenBaars在2009年6月5日提交的名称为“不对称包层的激光二极管（ASYMMETRICALLY CLADDED LASER DIODE）”，代理人案号为30794.314-US-P1(2009-614-1)的美国临时申请序列号61/184,668的权益；