[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

绝缘膜；

所述绝缘膜上与所述绝缘膜接触的第一金属氧化物膜；

其一部分与所述第一金属氧化物膜接触的氧化物半导体膜；

与所述氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极；

其一部分与所述氧化物半导体膜接触的第二金属氧化物膜；

所述第二金属氧化物膜上与所述第二金属氧化物膜接触的栅极绝缘膜；以及

所述栅极绝缘膜上的栅电极。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属氧化物膜及所述第二金属氧化物膜都含有所述氧化物半导体膜的构成元素。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属氧化物膜及所述第二金属氧化物膜都具有比所述氧化物半导体膜的能隙大的能隙。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属氧化物膜及所述第二金属氧化物膜的导带底的能量都比所述氧化物半导体膜的导带底的能量高。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属氧化物膜及所述第二金属氧化物膜都含有氧化镓。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属氧化物膜的构成元素的比例与所述第二金属氧化物膜的构成元素的比例相等。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述绝缘膜含有氧化硅。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极绝缘膜含有氧化硅或氧化铪。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二金属氧化物膜设置成覆盖所述源电极及所述漏电极且与所述第一金属氧化物膜接触。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述氧化物半导体膜被所述第一金属氧化物膜及所述第二金属氧化物膜围绕。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，沟道长度方向上的所述氧化物半导体膜的侧边缘与沟道长度方向上的所述第一金属氧化物膜的侧边缘对齐。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，沟道长度方向上的所述氧化物半导体膜的侧边缘与沟道长度方向上的所述第二金属氧化物膜的侧边缘对齐。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，第一绝缘膜设置成覆盖所述栅极绝缘膜及所述栅电极。

14.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，导电膜设置在所述氧化物半导体膜的下方。