[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

栅电极；

覆盖所述栅电极的栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上的第一金属氧化物膜；

与所述第一金属氧化物膜接触且与所述栅电极重叠的氧化物半导体膜；

与所述氧化物半导体膜接触的源电极及漏电极；

在所述氧化物半导体膜上且与该氧化物半导体膜接触的第二金属氧化物膜；以及

在所述第二金属氧化物膜上的绝缘膜。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述氧化物半导体膜的顶表面的至少一部分与所述源电极及所述漏电极接触。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，至少所述源电极的顶表面的一部分和所述漏电极的顶表面的一部分与所述氧化物半导体膜接触。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述氧化物半导体膜的顶表面的至少一部分与所述源电极及所述漏电极接触，并且其中，沟道长度方向上的所述氧化物半导体膜的侧边缘与沟道长度方向上的所述第一金属氧化物膜的侧边缘对准。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属氧化物膜及所述第二金属氧化物膜都包含选自所述氧化物半导体膜的构成元素中的一种或多种金属元素的氧化物。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属氧化物膜及所述第二金属氧化物膜都具有比所述氧化物半导体膜更大的能隙。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属氧化物膜的导带底部的能量及所述第二金属氧化物膜的导带底部的能量都高于所述氧化物半导体膜的导带底部的能量。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属氧化物膜及所述第二金属氧化物膜都包含氧化镓。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属氧化物膜的构成元素的比例和所述第二金属氧化物膜的构成元素的比例相等。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述绝缘膜上设置导电膜。

11.一种半导体装置，包括：

栅电极；

覆盖所述栅电极的栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上的第一金属氧化物膜；

与所述第一金属氧化物膜接触且与所述栅电极重叠的氧化物半导体膜；

与所述氧化物半导体膜接触的源电极及漏电极；

在所述氧化物半导体膜上且与该氧化物半导体膜接触的第二金属氧化物膜；以及

在所述第二金属氧化物膜上的绝缘膜，

其中，以覆盖所述源电极及所述漏电极且与所述第一金属氧化物膜接触的方式设置所述第二金属氧化物膜。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述氧化物半导体膜被所述第一金属氧化物膜及所述第二金属氧化物膜围绕。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述氧化物半导体膜的顶表面的至少一部分与所述源电极及所述漏电极接触。

14.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，至少所述源电极的顶表面的一部分和所述漏电极的顶表面的一部分与所述氧化物半导体膜接触。

15.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属氧化物膜及所述第二金属氧化物膜都包含选自所述氧化物半导体膜的构成元素中的一种或多种金属元素的氧化物。

16.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属氧化物膜及所述第二金属氧化物膜都具有比所述氧化物半导体膜更大的能隙。

17.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属氧化物膜的导带底部的能量及所述第二金属氧化物膜的导带底部的能量都高于所述氧化物半导体膜的导带底部的能量。

18.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述第一金属氧化物膜及所述第二金属氧化物膜都包含氧化镓。