[发明专利]光刻设备以及光谱纯度滤光片

说明书

相关应用的交叉引用

本申请要求分别于2010年3月24日、5月3日以及7月15日递交的美国临时申请61/317,167、61/330,721以及61/364,725的优先权，这些美国临时申请通过引用全文并于此。

技术领域

本发明涉及一种光刻设备以及适用于此的反射器。

背景技术

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如IC制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。

光刻技术被广泛认为是制造集成电路(IC)和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着使用光刻技术形成的特征的尺寸变得越来越小，对于实现微型的IC或其他器件和/或结构的制造来说，光刻技术正变成更加关键的因素。

图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式(1)所示：

CD=k1*λNA---(1)]]>

其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，k₁是随工艺变化的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(1)知道，特征的最小可印刷尺寸的减小可以由三种途径获得：通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA或通过减小k₁的值。

为了缩短曝光波长并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有5-20nm范围内波长的电磁辐射，例如在13-14nm范围内波长的电磁辐射，或例如在5-10nm范围内的波长，例如6.7nm或6.8nm波长。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环提供的同步加速器辐射。

可以通过使用等离子体产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器，和用于容纳等离子体的源收集器模块。例如通过将激光束引导到燃料，例如合适材料(例如锡)的粒子或合适气体或蒸汽的流(例如氙气或锂蒸汽)可以产生等离子体。所形成的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用辐射收集器收集。辐射收集器可以是反射镜式的正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦为束。源收集器模块可以包括包围结构或室，其布置成提供真空环境以支持等离子体。这种辐射系统通常称为激光产生等离子体(LPP)源。

伴随有用的带内辐射，已知的LLP源也产生无用的带外辐射，例如深紫外(DUV)和红外(IR)以及被等离子体散射(反射)的激光辐射。IR辐射是波长在0.1-500μm范围内的电磁辐射，例如在5-15μm范围内的电磁辐射。LPP源产生的带外辐射，尤其是高功率的10.6μm辐射，可能导致图案形成装置、衬底以及光学元件的不期望的升温，由此缩短其寿命。已知的光刻设备包括具有对带外辐射(例如10.6μm)的高反射率的光学元件，因此带外辐射能够以相当高的功率到达衬底。带外辐射在衬底处存在可能会导致光刻设备的成像性能下降。