[发明专利]胶粘剂组合物、胶粘带、半导体晶片的处理方法及TSV晶片的制造方法

权利要求书

1.一种胶粘剂组合物，其特征在于，含有胶粘剂成分、以及下述通式(1)、通式(2)或通式(3)所示的四唑化合物或其盐；

式(1)～(3)中，R¹、R²表示氢、羟基、氨基、碳数为1～7的烷基、亚烷基、苯基或巯基，所述碳数为1～7的烷基、亚烷基、苯基或巯基也可以被取代。

2.根据权利要求1所述的胶粘剂组合物，其特征在于，四唑化合物在波长250～400nm下的摩尔吸光系数的最大值为100以上，并且，利用热天平测得的、从100℃加热至200℃时的重量残存率为80％以上。

3.根据权利要求1所述的胶粘剂组合物，其特征在于，四唑化合物在波长270～400nm下的摩尔吸光系数的最大值为100以上，并且，利用热天平测得的、从100℃加热至200℃时的重量残存率为80％以上。

4.根据权利要求1、2或3所述的胶粘剂组合物，其特征在于，胶粘剂成分含有通过刺激而使弹性模量上升的固化型胶粘剂。

5.根据权利要求1、2、3或4所述的胶粘剂组合物，其特征在于，含有光增感剂。

6.根据权利要求5所述的胶粘剂组合物，其特征在于，光增感剂是至少具有1个以上的烷氧基的多环芳香族化合物。

7.根据权利要求5所述的胶粘剂组合物，其特征在于，光增感剂是取代烷氧基多环芳香族化合物，该取代烷氧基多环芳香族化合物具有部分被缩水甘油基或羟基取代的烷氧基。

8.一种胶粘带，其特征在于，在基材的一个面具有由权利要求1、2、3、4、5、6或7所述的胶粘剂组合物构成的胶粘层。

9.一种胶粘带，其特征在于，在基材的两个面具有由权利要求1、2、3、4、5、6或7所述的胶粘剂组合物构成的胶粘层。

10.一种半导体晶片的处理方法，其特征在于，包括：

利用权利要求9所述的胶粘带使半导体晶片与支承板贴合的工序；

在贴合于支承板的状态下，对所述半导体晶片实施药液处理、加热处理或伴随发热的处理的工序；

在所述处理后，对所述胶粘带照射光而从胶粘层中的四唑化合物产生气体的工序；和

从所述半导体晶片中剥离所述支承板和胶粘带的工序。

11.一种TSV晶片的制造方法，其特征在于，包括：

利用权利要求9所述的胶粘带使具有槽部的半导体晶片与支承板贴合的工序；

对所述半导体晶片的与胶粘于所述支承板一侧相反的面进行研磨，使槽部贯通而形成贯通孔的工序；

在所述半导体晶片的贯通孔的周边制作电极部的工序；

在制作所述电极部后，对所述胶粘带照射光而从胶粘层中的四唑化合物产生气体的工序；和

从所述半导体晶片中剥离所述支承板和胶粘带的工序。