[发明专利]用于保护湿敏器件的组合物有效
申请号: | 201180015028.7 | 申请日: | 2011-03-14 |
公开(公告)号: | CN102812576A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | P·巴卡;A·伯努西;S·隆德纳;R·马克西 | 申请(专利权)人: | 工程吸气公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张钦 |
地址: | 意大*** | 国省代码: | 意大利;IT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 保护 器件 组合 | ||
1.在敏感器件内阻挡水进入的复合阻挡材料,它包括含有至少两类吸收剂的聚硅氧烷基体,其特征在于,所述聚硅氧烷基体含有10-55wt%的基本上由一种或多种选自钙、锶、钡、镁的氧化物中的碱土金属氧化物的粉末组成的不可逆的H2O吸收剂,和1-5wt%的基本上由一种或多种硅铝酸盐的粉末组成的可逆H2O吸收剂,其中所述吸收剂粉末中95%的尺寸不大于10微米。
2.权利要求1的复合阻挡材料,其中不可逆吸收剂与可逆吸收剂的重量比为2.7-45。
3.权利要求2的复合阻挡材料,其中不可逆吸收剂与可逆吸收剂的重量比为13-20。
4.权利要求1的复合阻挡材料,其中相对于吸收剂粉末的总重量,可逆吸收剂的重量大于2%但小于20%。
5.权利要求1的复合阻挡材料,其中相对于吸收剂粉末的总重量,可逆吸收剂的重量为2.5-7%。
6.权利要求1或2的复合阻挡材料,其中可逆吸收剂粉末的尺寸为50-500纳米。
7.权利要求1的复合阻挡材料,其中在等于或小于180℃的温度下,所述不可逆吸收剂不释放水。
8.权利要求1的复合阻挡材料,其中在70-180℃的温度下,所述可逆吸收剂释放水。
9.用于生产权利要求1的复合阻挡材料的混合物,其含有:包含a)40-70wt%具有二甲基乙烯基端基的二-二甲基硅氧烷和b)5-30wt%二甲基乙烯基或三甲基乙烯基二氧化硅的混合物,和含有:10-55wt%基本上由一种或多种选自钙、锶、钡、镁的氧化物中的碱土金属氧化物的粉末组成的不可逆的湿气吸收剂,1-5wt%基本上由一种或多种硅铝酸盐组成的可逆H2O吸收剂,其中不可逆和可逆吸收剂粉末中95%的尺寸不大于10微米。
10.权利要求9的生产复合阻挡材料的混合物,进一步含有最多40wt%的二-二甲基羟基硅氧烷。
11.对水分存在敏感的器件,其特征在于包括权利要求1的复合阻挡材料。
12.权利要求11的对水分存在敏感的器件,其中所述复合阻挡材料布置在所述器件的四周。
13.权利要求11的对水分存在敏感的器件,其中所述复合阻挡材料填充所述器件的内部体积。
14.权利要求11的对水分存在敏感的器件,其中所述器件是电致发光有机器件。
15.权利要求11的对水分存在敏感的器件,其中所述器件是电子或电气器件。
16.权利要求11的对水分存在敏感的器件,其中所述器件是微机械或微光电器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择