[发明专利]拒液性表面无效
| 申请号: | 201180014190.7 | 申请日: | 2011-01-10 |
| 公开(公告)号: | CN103221147A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
| 发明(设计)人: | 史帝芬·柯森 | 申请(专利权)人: | P2I有限公司 |
| 主分类号: | B05D7/24 | 分类号: | B05D7/24 |
| 代理公司: | 北京天平专利商标代理有限公司 11239 | 代理人: | 孙刚 |
| 地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 拒液性 表面 | ||
1.在基质上形成拒液性表面的方法,所述方法包含使用电离或活化技术,在腔室中将纳米粒子和聚合物物料的组合涂抹到该表面。
2.如权利要求1所述的方法,其中该些纳米粒子包含银、钯、金、硅酮、二氧化硅、二氧化钛或聚合物纳米粒子。
3.如权利要求1或2中任一项所述的方法,其中该些纳米粒子的平均直径为1到500nm。
4.如前述任一项权利要求所述的方法,其中该聚合物物料为疏水性和/或疏油性的。
5.如前述任一项权利要求所述的方法,其选自织物、纤维、服装、鞋类、电子或电气器具或其组件、实验室消耗品、过滤介质或膜或者微流器。
6.如前述任一项权利要求所述的方法,其中在第一步骤中,纳米粒子在该腔室中被置于该基质的表面上,而在其后的步骤中,在有能够在电离或活化条件下形成所述聚合物物料的单体的存在下,将该基质暴露在其中。
7.如权利要求6所述的方法,其中该些纳米粒子是通过使用电离或活化技术被置于该表面的。
8.如权利要求1至5中任一项所述的方法,该方法包含在有能够在电离或活化条件下形成聚合物的单体和纳米粒子存在下,将基质暴露在其中,使得该些纳米粒子和该聚合物物料在单个步骤中形成。
9.如权利要求8所述的方法,其中该些纳米粒子分散在供应予该基质的单体内。
10.如前述任一项权利要求所述的方法,其中该些电离或活化条件包含等离子体处理。
11.如权利要求11所述的方法,其中该等离子体是脉冲等离子体。
12.如前述任一项权利要求所述的方法,其中该聚合物物料是通过单体的聚合反应而形成的,该单体选自化学式(I)
的化合物,其中R1、R2和R3独立地选自氢、卤基、烷基、卤代烷基或可选择性地被卤基取代的芳基;而R4为-X-R5基团,其中R5为卤基、烷基团或卤代烷基团,X为键;化学式-C(O)O-的基团、化学式-C(O)O(CH2)nY-的基团,其中n为1到10的整数,Y为磺酰胺基团;或者基团-(O)PR6(O)q(CH2)t-,其中R6为可选择性地被卤基取代的芳基,p为0或1,q为0或1,t为0或1到10的整数,但条件是当q为1时,t不为0;
化学式(V)
的化合物,其中R8、R9、R10、R11、R12和R13全部均独立地选自氢、卤基、烷基、卤代烷基或可选择性地被卤基取代的芳基;而Z为桥连基团;
化学式(VII)
的化合物,其中R16、R17、R18、R19和R20独立地选自氢、卤素、烷基、卤代烷基或可选择性地被卤基取代的芳基;而R21为基团X-R22,其中R22为烷基团或卤代烷基团,X为键或化学式-C(O)O(CH2)xY-的基团,其中x为1到10的整数,Y为键或磺酰胺基团;或者基团-(O)PR23(O)s(CH2)t-,其中R23为可选择性地被卤基取代的芳基,p为0或1,s为0或1,t为0或1到10的整数,但条件是当s为1时,t不为0;
化学式(VIII)
R24-C≡C-X1-R25 (VIII)
的化合物,其中R24为氢、烷基、环烷基、卤代烷基或可选择性地被卤基取代的芳基;X1为键或桥连基团;而R25为烷基团、环烷基团或可选择性地被卤素取代的芳基团;或
化学式(XIV)
R28C≡C(CH2)nSiR29R30R31 (XIV)
的化合物,其中R28为氢、烷基、环烷基、卤代烷基或可选择性地被卤基取代的芳基,R29、R30和R31独立地选自烷基或烷氧基,特别是C1-6烷基或烷氧基。
13.带有纳米粒子和聚合物物料的组合的基质,其通过使用电离或活化技术沉积在该基质的表面上,以形成拒液性表面。
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