[发明专利]显示单元、显示器与其制造方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在一电泳显示器上提供一半导体钝化层，该电泳显示器包括多个像素，每个像素包括一单元区域，该单元区域包括多个带电颜料粒子，其中该电泳显示器包括两个相对电极，用以在该些像素中产生可控制该些带电颜料粒子的电场，其中该半导体钝化层被提供在该两个相对电极的至少其中一个上。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：

提供另一半导体钝化层于该两个相对电极中的另一个电极上。

3.如权利要求1所述的方法，其中该半导体钝化层藉由一薄膜沉积制程或一半导体材料的溶液或分散液的湿式涂布法而沉积在该电极上。

4.一种电泳显示器装置，包括：

多个像素，每个像素包括：

一单元区域，包括多个带电颜料粒子；

两个相对电极，用以在所述像素中产生可控制该些带电颜料粒子的电场；以及

一半导体钝化层，设置于该两个相对电极的至少其中一个上。

5.如权利要求4所述的电泳显示器装置，其中每个该像素海包括另一半导体钝化层，设置于该两个相对电极中的另一个上。

6.如权利要求5所述的电泳显示器装置，其中该半导体钝化层设置于该相对电极的其中之一上，包括p-型半导体钝化层，以及该另一半导体钝化层，设置于该另一电极上，包括n-型半导体钝化层。

7.如权利要求4所述的电泳显示器装置，其中该半导体钝化层包括MO_x/y、MS_x/y、MN_x/y中的一种或多种，其中M为金属或半导体，如铝、锡、锌、硅、锗、镍、钛或镉；x为正整数；y独立地为非零的正整数。

8.如权利要求7所述的电泳显示器装置，其中该半导体钝化层被掺质所掺杂，其中该掺质包括n-型供质或p-型受质，其中该n-型供质为氮、磷、砷或氟；该p-型受质为硼、铝、镓、铟、铍、镁或钙。

9.如权利要求4所述的电泳显示器装置，其中该半导体钝化层包括掺杂的Si、ZnO_x/y、ZnS_x/y、CdS_x/y、TiO_x/y或III-V型的半导体材料，其中x为正整数；y为非零的正整数。

10.如权利要求4所述的电泳显示器装置，其中该电泳显示器装置包括被动矩阵电泳显示器、主动矩阵电泳显示器或片段电泳显示器。

11.如权利要求4所述的电泳显示器装置，其中该半导体钝化层用作电位障壁以提供高电位障壁电阻，其中该电位障壁的宽度表示为

χd=(2ϵsφiqNd)1/2]]>

其中ε_s为半导体的介电常数；为金属/半导体的内建电位；N_d为半导体的掺杂浓度；q为电荷；该电位障壁宽度χ_d可藉由选择该半导体钝化层的材料及/或控制掺杂浓度而加以调整。