[发明专利]太阳能电池用透明导电性基板、其制造方法以及使用其的太阳能电池有效
申请号: | 201180012596.1 | 申请日: | 2011-03-04 |
公开(公告)号: | CN102782868A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 竹添秀男;具沅会;西村凉;关隆史;鸟山重隆;郑旬纹;福田真林;福岛麻登香;增山聪 | 申请(专利权)人: | 吉坤日矿日石能源株式会社;国立大学法人东京工业大学 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;B32B3/30;B32B27/00;B32B27/30 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 透明 导电性 制造 方法 以及 使用 | ||
1.一种太阳能电池用透明导电性基板,其中,
具备:透明支撑基板、透明导电层、以及配置于所述透明支撑基板和所述透明导电层之间的固化树脂层,
在所述固化树脂层的与所述透明导电层相对的面上形成有凹凸,
对用原子力显微镜解析所述凹凸的形状而得到的凹凸解析图像实施二维高速傅立叶变换处理来得到傅立叶变换图像的情况下,所述傅立叶变换图像显示以波数的绝对值为0μm-1的原点为大致中心的圆状或圆环状的图案,并且
所述圆状或圆环状的图案存在于波数的绝对值为0.5~10μm-1的范围内的区域内。
2.如权利要求1所述的太阳能电池用透明导电性基板,其中,
所述固化树脂层的与所述透明导电层相对的面上形成的凹凸的平均高度为5~200nm。
3.如权利要求1或2所述的太阳能电池用透明导电性基板,其中,
所述固化树脂层的与所述透明导电层相对的面上形成的凹凸的平均间距为100~2000nm的范围。
4.如权利要求1~3中任一项所述的太阳能电池用透明导电性基板,其中,
所述固化树脂层由丙烯酸树脂构成。
5.一种太阳能电池用透明导电性基板的制造方法,其中,
包括:
通过在透明支撑基板上涂布固化性树脂,在挤压母模并使所述固化性树脂固化之后,卸下所述母模,从而在所述透明支撑基板上层叠形成有凹凸的固化树脂层的工序;以及,
以维持所述固化树脂层的表面上形成的凹凸的形状的方式,在所述固化树脂层上层叠透明导电层,得到具备透明支撑基板、固化树脂层和透明导电层的太阳能电池用透明导电性基板的工序,
并且,所述母模是通过包括以下的工序的方法而得到的:
在基材上涂布含有嵌段共聚物以及溶剂的嵌段共聚物溶液的工序,其中,所述嵌段共聚物具有由第1均聚物构成的第1聚合物链段和由第2均聚物构成的第2聚合物链段,所述第2均聚物具有比所述第1均聚物的溶解度参数高0.1~10(cal/cm3)1/2的溶解度参数,并且,所述嵌段共聚物满足全部下述条件(ⅰ)~(ⅲ),
(ⅰ)数均分子量为500000以上,
(ⅱ)分子量分布Mw/Mn为1.5以下,
(ⅲ)所述第1聚合物链段和所述第2聚合物链段的体积比,即第1聚合物链段:第2聚合物链段,为3:7~7:3;以及
通过使所述基材上的涂膜干燥,形成所述嵌段共聚物的微相分离结构,从而得到在表面形成有凹凸的第1母模的工序。
6.如权利要求5所述的太阳能电池用透明导电性基板的制造方法,其中,
在得到所述第1母模的工序中,在比所述嵌段共聚物的玻璃化转变温度高的温度下加热所述干燥后的涂膜。
7.如权利要求5或6所述的太阳能电池用透明导电性基板的制造方法,其中,
在得到所述第1母模的工序中,对所述干燥后的涂膜实施蚀刻处理。
8.如权利要求5~7中任一项所述的太阳能电池用透明导电性基板的制造方法,其中,
进一步包括以下的工序,通过在将复制材料附着于所述第1母模上并使之固化之后,从所述第1母模中取出复制材料,从而得到在表面形成有凹凸的第2母模。
9.如权利要求5~8中任一项所述的太阳能电池用透明导电性基板的制造方法,其中,
所述嵌段共聚物中的所述第1均聚物和所述第2均聚物的组合为苯乙烯类聚合物和聚甲基丙烯酸烷醇酯的组合、苯乙烯类聚合物和聚氧乙烯的组合、苯乙烯类聚合物和聚异戊二烯的组合、以及苯乙烯类聚合物和聚丁二烯的组合中的任意一种。
10.如权利要求5~9中任一项所述的太阳能电池用透明导电性基板的制造方法,其中,
所述嵌段共聚物溶液进一步含有与所述嵌段共聚物中的所述第1均聚物和所述第2均聚物不同的其它均聚物。
11.如权利要求10所述的太阳能电池用透明导电性基板的制造方法,其中,
所述嵌段共聚物中的所述第1均聚物和所述第2均聚物的组合为聚苯乙烯和聚甲基丙烯酸甲酯的组合,并且所述其它均聚物为聚氧化烯。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉坤日矿日石能源株式会社;国立大学法人东京工业大学,未经吉坤日矿日石能源株式会社;国立大学法人东京工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180012596.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:机场摆渡车支撑桥空气悬架总成
- 下一篇:挂车车桥桥管总成
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的