[发明专利]陶瓷电子元件及陶瓷电子元件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201180012470.4 申请日: 2011-03-04
公开(公告)号: CN102792395A 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 中村彰宏;山本笃史;野宫裕子 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01F1/34 分类号: H01F1/34;C04B35/30;H01F17/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 樊建中
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 陶瓷 电子元件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种陶瓷电子元件,其特征在于,具有:

磁性体部,其由铁氧体材料构成;和

导电部,其以Cu作为主成分,

所述磁性体部含有3价的Fe、和至少包含2价的Ni的2价元素,并且所述Fe的含有量在换算成Fe2O3的情况下以摩尔比计为20~48%,

并且,所述磁性体部含有Mn,使得所述Mn相对于Fe与Mn的总量的比率在分别换算成Mn2O3以及Fe2O3的情况下以摩尔比计小于50%且包含0%。

2.根据权利要求1所述的陶瓷电子元件,其特征在于,

所述Fe的含有量在换算成Fe2O3的情况下以摩尔比计为25~47%。

3.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子元件,其特征在于,

所述Fe的含有量在换算成Fe2O3的情况下以摩尔比计为30~46%。

4.根据权利要求1至3任一项所述的陶瓷电子元件,其特征在于,

所述磁性体部中所述Mn相对于所述Fe与所述Mn的总量的比率在分别换算成Mn2O3以及Fe2O3的情况下以摩尔比计为2%以上。

5.根据权利要求1至4任一项所述的陶瓷电子元件,其特征在于,

所述磁性体部含有在换算成CuO的情况下以摩尔比计为10%以下的Cu。

6.根据权利要求1至5任一项所述的陶瓷电子元件,其特征在于,

所述磁性体部含有在换算成ZnO的情况下以摩尔比计为33%以下的Zn。

7.根据权利要求1至6任一项所述的陶瓷电子元件,其特征在于,

所述磁性体部含有在换算成ZnO的情况下以摩尔比计为6%以上的Zn。

8.根据权利要求1至7任一项所述的陶瓷电子元件,其特征在于,

在Cu-Cu2O的平衡氧分压以下的气氛中进行烧成。

9.根据权利要求1至8任一项所述的陶瓷电子元件,其特征在于,

所述磁性体部和所述导电部被同时烧成。

10.根据权利要求1至9任一项所述的陶瓷电子元件,其特征在于,

多个所述磁性体部和多个所述导电部交替地层叠。

11.根据权利要求1至11任一项所述的陶瓷电子元件,其特征在于,

所述陶瓷电子元件为线圈元件。

12.一种陶瓷电子元件的制造方法,其特征在于包括下述工序:

预烧工序,按照将Fe化合物以及至少包含Ni化合物的2价元素化合物换算成Fe2O3的情况下Fe化合物的摩尔比为20~48%的方式,对所述Fe化合物以及所述2价元素化合物进行称重,并且按照Mn相对于Fe与所述Mn的总量的比率在换算成Mn2O3以及Fe2O3的情况下以摩尔比计小于50%且包含0%的方式,对Mn化合物进行称重,在将这些称重物混合之后进行预烧来制作预烧粉末;

陶瓷生片制作工序,由所述预烧粉末制作陶瓷生片;

导电膜形成工序,将以Cu作为主成分的导电性膏剂涂敷于所述陶瓷生片以形成规定图案的导电膜;

层叠体形成工序,将形成有所述导电膜的陶瓷生片按照规定顺序进行层叠,以形成层叠体;和

烧成工序,在Cu-Cu2O的平衡氧分压以下的烧成气氛中烧成所述层叠体,并同时烧成所述陶瓷生片和所述导电膜。

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