[发明专利]用于确定用于脑深部刺激的设置的方法和系统有效

专利信息
申请号: 201180011778.7 申请日: 2011-02-25
公开(公告)号: CN102834141A 公开(公告)日: 2012-12-19
发明(设计)人: E.托亚德;H.C.F.马滕斯;M.M.J.德雷;F.P.M.布德策拉尔;P.G.布兰肯;D.J.安德森 申请(专利权)人: 沙皮恩斯脑部刺激控制有限公司;神经诱导技术公司
主分类号: A61N1/36 分类号: A61N1/36;A61N1/05
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 马红梅;李浩
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 用于 确定 脑深部 刺激 设置 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种用于确定用于脑刺激探头(10)的刺激设置与相应V场之间的关系的方法,脑刺激探头(10)包括多个刺激电极(11),V场是刺激电极(11)周围的脑组织中的电位分布,该方法包括:

- 连续地向n个刺激电极(11)施加测试电流,n是在2与脑刺激探头(10)的刺激电极(11)的数目之间的数,

- 针对n个刺激电极(11)中的一个处的每个测试电流,在m个刺激电极处测量结果得到的激励电压,m是在2与脑刺激探头(10)的刺激电极(11)的数目之间的数,

- 根据刺激设置和所测量的激励电压,导出(m*n)耦合矩阵,耦合矩阵中的元素Zq,p反映刺激电极(11)中的两个之间的电阻抗的量,以及

- 将该耦合矩阵用于确定刺激设置与相应V场之间的关系。

2.如权利要求1所述的用于确定用于脑刺激探头(10)的刺激设置与相应V场之间的关系的方法,该方法还包括:

- 在特定电极(11)上强加非零测试电压,同时在所有其他电极(11)上强加零电压,

- 测量产生所述强加电压所需的电极(11)中的结果得到的电流,

- 确定导纳矩阵,该导纳矩阵的元素反映测量的结果得到的电流,

- 通过导纳矩阵的数学求逆来生成耦合矩阵。

3.如权利要求1所述的用于确定用于脑刺激探头(10)的刺激设置与相应V场之间的关系的方法,该方法还包括:

- 接收预定的一组刺激设置,

- 将刺激设置与相应V场之间的关系用于确定对应于所述预定的一组刺激设置的V场。

4.如权利要求1所述的用于确定用于脑刺激探头(10)的刺激设置与相应V场之间的关系的方法,该方法还包括:

- 接收目标V场的描述,

- 将刺激设置与相应V场之间的关系用于确定一组要求的刺激设置以便获得目标V场。

5.一种用于确定用于脑刺激探头(10)的刺激设置与相应V场之间的关系的计算机程序产品,该程序可用于促使处理器执行如权利要求1所述的方法。

6.一种用于确定用于脑刺激探头(10)的刺激设置与相应V场之间的关系的控制系统(20),该脑刺激探头(10)包括多个刺激电极(11),所述V场是刺激电极(11)周围的脑组织中的电位分布,该控制系统(20)包括:

- 用于向刺激电极施加测试电流的装置(21),

- 用于测量源于施加的测试电流的激励电压的装置(22),以及

- 处理器(23),其被布置成用于

     - 指示用于施加测试电流的装置(21)向n个刺激电极(11)连续地施加测试电流,n是在2与脑刺激探头(10)的刺激电极(11)的数目之间的数,

     - 指示用于测量激励电压的装置(22)在m个刺激电极(11)处测量由每个测试电流引起的激励电压,m是在2与脑刺激探头(10)的刺激电极(11)的数目之间的数,

     - 根据刺激设置和所测量的激励电压,导出(m*n)耦合矩阵,耦合矩阵中的元素Zq,p反映刺激电极(11)中的两个之间的电阻抗的量,以及

- 将该耦合矩阵用于确定刺激设置与相应V场之间的关系。

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