[发明专利]用于确定用于脑深部刺激的设置的方法和系统有效
| 申请号: | 201180011778.7 | 申请日: | 2011-02-25 |
| 公开(公告)号: | CN102834141A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
| 发明(设计)人: | E.托亚德;H.C.F.马滕斯;M.M.J.德雷;F.P.M.布德策拉尔;P.G.布兰肯;D.J.安德森 | 申请(专利权)人: | 沙皮恩斯脑部刺激控制有限公司;神经诱导技术公司 |
| 主分类号: | A61N1/36 | 分类号: | A61N1/36;A61N1/05 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 马红梅;李浩 |
| 地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 确定 脑深部 刺激 设置 方法 系统 | ||
1.一种用于确定用于脑刺激探头(10)的刺激设置与相应V场之间的关系的方法,脑刺激探头(10)包括多个刺激电极(11),V场是刺激电极(11)周围的脑组织中的电位分布,该方法包括:
- 连续地向n个刺激电极(11)施加测试电流,n是在2与脑刺激探头(10)的刺激电极(11)的数目之间的数,
- 针对n个刺激电极(11)中的一个处的每个测试电流,在m个刺激电极处测量结果得到的激励电压,m是在2与脑刺激探头(10)的刺激电极(11)的数目之间的数,
- 根据刺激设置和所测量的激励电压,导出(m*n)耦合矩阵,耦合矩阵中的元素Zq,p反映刺激电极(11)中的两个之间的电阻抗的量,以及
- 将该耦合矩阵用于确定刺激设置与相应V场之间的关系。
2.如权利要求1所述的用于确定用于脑刺激探头(10)的刺激设置与相应V场之间的关系的方法,该方法还包括:
- 在特定电极(11)上强加非零测试电压,同时在所有其他电极(11)上强加零电压,
- 测量产生所述强加电压所需的电极(11)中的结果得到的电流,
- 确定导纳矩阵,该导纳矩阵的元素反映测量的结果得到的电流,
- 通过导纳矩阵的数学求逆来生成耦合矩阵。
3.如权利要求1所述的用于确定用于脑刺激探头(10)的刺激设置与相应V场之间的关系的方法,该方法还包括:
- 接收预定的一组刺激设置,
- 将刺激设置与相应V场之间的关系用于确定对应于所述预定的一组刺激设置的V场。
4.如权利要求1所述的用于确定用于脑刺激探头(10)的刺激设置与相应V场之间的关系的方法,该方法还包括:
- 接收目标V场的描述,
- 将刺激设置与相应V场之间的关系用于确定一组要求的刺激设置以便获得目标V场。
5.一种用于确定用于脑刺激探头(10)的刺激设置与相应V场之间的关系的计算机程序产品,该程序可用于促使处理器执行如权利要求1所述的方法。
6.一种用于确定用于脑刺激探头(10)的刺激设置与相应V场之间的关系的控制系统(20),该脑刺激探头(10)包括多个刺激电极(11),所述V场是刺激电极(11)周围的脑组织中的电位分布,该控制系统(20)包括:
- 用于向刺激电极施加测试电流的装置(21),
- 用于测量源于施加的测试电流的激励电压的装置(22),以及
- 处理器(23),其被布置成用于
- 指示用于施加测试电流的装置(21)向n个刺激电极(11)连续地施加测试电流,n是在2与脑刺激探头(10)的刺激电极(11)的数目之间的数,
- 指示用于测量激励电压的装置(22)在m个刺激电极(11)处测量由每个测试电流引起的激励电压,m是在2与脑刺激探头(10)的刺激电极(11)的数目之间的数,
- 根据刺激设置和所测量的激励电压,导出(m*n)耦合矩阵,耦合矩阵中的元素Zq,p反映刺激电极(11)中的两个之间的电阻抗的量,以及
- 将该耦合矩阵用于确定刺激设置与相应V场之间的关系。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沙皮恩斯脑部刺激控制有限公司;神经诱导技术公司,未经沙皮恩斯脑部刺激控制有限公司;神经诱导技术公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180011778.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:贴片直列式小型桥堆
- 下一篇:多层印刷电路板的改进的反钻





