[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

形成氧化物半导体层；

对所述氧化物半导体层进行氧添加；以及

在250℃以上且700℃以下对进行了氧添加的所述氧化物半导体层进行热处理。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括步骤：

在形成所述氧化物半导体层之前，在晶体管上形成绝缘膜，

其中所述氧化物半导体层形成在所述绝缘膜上。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中通过离子注入法进行所述氧添加。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中通过离子掺杂法进行所述氧添加。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括步骤：

在进行所述氧添加之前，对所述氧化物半导体层进行第二热处理。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述氧化物半导体层包括In-Ga-Zn-O类氧化物半导体。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述氧化物半导体层使用In₂O₃、Ga₂O₃和ZnO通过溅射法形成。

8.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

形成栅电极；

在所述栅电极上形成栅极绝缘层；

以接触于所述栅极绝缘层的方式形成与所述栅电极重叠的氧化物半导体层；

对所述氧化物半导体层进行氧添加；

对进行了氧添加的所述氧化物半导体层进行热处理；

以接触于进行了所述热处理的所述氧化物半导体层的方式形成其端部与所述栅电极重叠的源电极和漏电极；以及

以与所述氧化物半导体层的沟道形成区接触且重叠的方式形成绝缘层。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中所述绝缘层是通过溅射法形成的氧化硅层。

10.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，还包括步骤：

在通过溅射法形成的所述绝缘层上形成氮化硅层，

其中所述绝缘层是通过溅射法形成的氧化硅层。

11.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，还包括步骤：

在形成所述氧化物半导体层之前，在晶体管上形成绝缘膜，

其中所述氧化物半导体层形成在所述绝缘膜上。

12.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中通过离子注入法进行所述氧添加。

13.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中通过离子掺杂法进行所述氧添加。

14.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，还包括步骤：

在进行所述氧添加之前，对所述氧化物半导体层进行第二热处理。

15.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中所述氧化物半导体层包括In-Ga-Zn-O类氧化物半导体，并且

其中所述栅电极包含钛。

16.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中所述氧化物半导体层使用In₂O₃、Ga₂O₃和ZnO通过溅射法形成。

17.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

形成源电极和漏电极；

形成与所述源电极的端部和所述漏电极的端部重叠的氧化物半导体层；

对所述氧化物半导体层进行氧添加；

对进行了氧添加的所述氧化物半导体层进行热处理；

以接触于进行了所述热处理的所述氧化物半导体层的方式形成与所述源电极的端部和所述漏电极的端部重叠的栅极绝缘层；以及

以接触于所述栅极绝缘层的方式形成与所述源电极的端部和所述漏电极的端部重叠的栅电极。

18.根据权利要求17所述的半导体装置的制造方法，其中所述栅极绝缘层是通过溅射法形成的氧化硅层。