[发明专利]薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，具备：

基板；

栅电极，其形成于所述基板上；

栅极绝缘层，其形成于所述栅电极上；

半导体层，其形成于所述栅电极上方的所述栅极绝缘层上；

源电极以及漏电极，其形成于所述半导体层的上方；以及

阻挡层，其形成于所述半导体层与所述源电极之间以及所述半导体层与所述漏电极之间，

所述源电极以及漏电极由包含铜的金属构成，

所述阻挡层是含有氮和钼的层，其密度为7.5～10.5（g/cm³）。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，

所述阻挡层所包含的氮与钼的组成比（N/Mo）大于0.9。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，

所述阻挡层是具有由Mo₂N形成的多个晶粒和在所述多个晶粒相互之间所包含的氮的构造。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的薄膜晶体管，

所述阻挡层的厚度为2nm～30nm。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，

所述阻挡层的厚度为3nm～25nm。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的薄膜晶体管，

在所述半导体层与所述阻挡层之间具有接触层。

7.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：

准备形成有半导体层的基板的工序；

在所述半导体层的上方形成由氮化钼膜构成的阻挡层的工序；以及

在所述阻挡层上由包含铜的金属形成源电极以及漏电极的工序，

在所述形成阻挡层的工序中，

通过在溅射装置内设置所述基板和钼靶，在非加热状态下，将氮气和惰性气体导入所述溅射装置内，对所述钼靶进行溅射，从而形成密度为7.5～10.5（g/cm³）的所述氮化钼膜。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制造方法，

所述惰性气体是氩气，

在所述形成阻挡层的工序中，使所述氮气与所述氩气的气体流量比为1.6以上来形成所述阻挡层。

9.根据权利要求7或8所述的薄膜晶体管的制造方法，

所述形成阻挡层的工序中的所述非加热状态下的溅射是室温下的溅射。