[发明专利]通过卤化的杂芳族化合物的重排随后进行氧化偶联来制造偶联的杂芳基化合物的方法无效

专利信息
申请号: 201180008863.8 申请日: 2011-02-09
公开(公告)号: CN102884061A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: S.马德;Y.A.格特马宁科 申请(专利权)人: 乔治亚州技术研究公司
主分类号: C07D409/04 分类号: C07D409/04;C07D417/04;C07D495/04;C07D495/14;C07D513/14;C07D517/14
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 段家荣;李进
地址: 美国乔*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 通过 卤化 杂芳族 化合物 重排 随后 进行 氧化 偶联来 制造 芳基化 方法
【权利要求书】:

1.一种用于合成含有以下结构的双卤代-双杂芳基化合物的方法

其中HAr是任选取代的五或六元的杂芳基环,包括至少一个环碳原子以及至少一个环杂原子,并且Hal是卤素:并且其中该方法的步骤包括:

a)  提供任选取代的前体化合物,该前体化合物包括在HAr环上的第一位置具有Hal取代基的卤代杂芳基环;

b)  用强碱性化合物来处理该前体化合物以便诱导该前体化合物异构化而产生中间体化合物,其中该Hal原子被连接到HAr环上的不同位置;

c)  用氧化剂处理该中间体化合物从而在两种中间体化合物之间形成碳-碳键、并且由此形成该双卤代-双杂芳基化合物。

2.如权利要求1所述的方法,其中Hal是Br或I。

3.如权利要求1所述的方法,其中,HAr是任选取代的五元杂芳基环。

4.如权利要求1所述的方法,其中,该前体化合物的HAr和Hal包括以下结构

其中

a)  R1是卤化物、或C1-C30有机基团,该有机基团选自任选取代的烷基、炔基、芳基、和杂芳基、或-Sn(R2)3、-Si(R2)3、-Si(OR2)3或-B(-OR21)2;其中每个R2是独立选择的烷基或芳基,并且每个R21是独立选择的烷基或芳基,或者这些R21基团一起形成了桥联这些氧原子的任选取代的亚烷基基团;

b)  X是O、S、Se或NR3,其中R3是C1-C18烷基、全氟烷基、芳基、或杂芳基;并且

c)  Y是CH、CR4、或N,其中R4是C1-C18烷基、芳基、或杂芳基。

5.如权利要求1所述的方法,其中,该前体化合物的HAr和Hal包括以下结构

其中

a)  R1是卤化物、或C1-C30有机基团,该有机基团选自任选取代的烷基、炔基、芳基、和杂芳基、或-Sn(R2)3、-Si(R2)3、-Si(OR2)3或-B(-OR21)2;其中每个R2是独立选择的烷基或芳基,并且每个R21是独立选择的烷基或芳基,或者这些R21基团一起形成了桥联这些氧原子的任选取代的亚烷基基团;

b)  X是S、Se或NR3,其中R3是C1-C18烷基、全氟烷基、芳基、或杂芳基。

6.如权利要求1所述的方法,其中,该前体化合物的HAr和Hal包括以下结构

其中

a)  R1是C1-C30有机基团,该有机基团选自任选取代的烷基、炔基、芳基、或杂芳基、或-Sn(R2)3、-Si(R2)3、-Si(OR2)3或-B(-OR21)2;其中每个R2是独立选择的烷基或芳基,并且每个R21是独立选择的烷基或芳基,或者这些R21基团一起形成了桥联这些氧原子的任选取代的亚烷基基团;并且

b)  X是S或NR3,其中R3是C1-C18烷基、全氟烷基、芳基、或杂芳基。

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