[发明专利]一种隔离腔室及使用该种隔离腔室制备太阳电池材料的方法

权利要求书

1.一种隔离腔室，用于分隔太阳电池材料生产中使用的相邻的沉积区，沉积区处于不同的压力下，隔离腔室大体上消除了来自相邻沉积区的挥发物的交叉污染，一基板前移穿过沉积区用于接收太阳电池材料，所述隔离腔室包括：

一第一腔室，用于接收基板，该基板在第一腔室中的处于一第一压力下；

一真空源，其连接至第一腔室，该真空源从第一腔室中抽取挥发物；

一第二腔室，其邻近于用于接收基板的第一腔室定位，基板大体上以薄片离开第一腔室的压力进入第二腔室；

至少一个差分嵌件，其定位在第二腔室中，该至少一个差分嵌件具有一由一种低摩擦材料制成的第一侧面，该低摩擦材料第一侧面用于与基板相配合；至少一个差分嵌件的第二侧面为一可调节阻挡块，该可调节阻挡块邻近薄片设置，至少一个差分嵌件形成一槽，该槽限制来自第一腔室的未反应挥发物进入该第二腔室；

一真空源，其连接至该第二腔室，该真空源从第二腔室中抽取未反应挥发物，该真空源降低第二腔室中的压力。

2.根据权利要求1所述的隔离腔室，其中，一惰性气体供应给第二腔室，该惰性气体被连接至第一腔室的真空源抽取，并经由至少一个差分嵌件形成的槽进入第一腔室，且被连接至第二腔室的真空源从第二腔室抽取，惰性气体从第二腔室中除去了未反应挥发物。

3.根据权利要求1所述的隔离腔室，其中，太阳电池材料的生产在一封闭腔室中进行。

4.根据权利要求3所述的隔离腔室，其中，用于向移动中的基板涂敷半导体材料的一半导体沉积区相邻第一腔室位于封闭腔室中，半导体材料经由一等离子体增强化学气相沉积来涂敷；半导体沉积区中的半导体材料处于约0.1托至约20托的一压力下。

5.根据权利要求4所述的隔离腔室，其中，一导电材料沉积区相邻第二腔室位于封闭腔室中，导电材料沉积区用于在半导体材料的与基板间隔开的表面上涂敷一透明导电氧化物层，该透明导电氧化物经由溅射来涂敷；透明导电氧化物在约0.001托至约0.02托的压力下在导电材料沉积区中被涂敷。

6.根据权利要求5所述的隔离腔室，其中，第二腔室具有用于接收来自半导体沉积区的基板和半导体材料的一第一嵌件腔室，该第一嵌件腔室具有用于接收基板和半导体材料的一孔，该孔限制挥发性材料从半导体沉积区流入第一腔室，第二腔室具有用于接收基板和半导体材料的一第二嵌件腔室，第二嵌件腔室相邻第一嵌件腔室定位。

7.根据权利要求6所述的隔离腔室，其中，一第一对差分嵌件定位在第一嵌件腔室中，该第一对差分嵌件形成用于接收基板和半导体材料的一入口槽，该入口槽具有与半导体材料间隔约0.1mm至约5mm的一侧面，入口槽限制挥发性材料从半导体沉积区的流入第二腔室，第一对差分嵌件具有由低摩擦材料制成的至少一个侧面，至少一个侧面配合基板以在基板通过第二腔室时将其弄直。

8.根据权利要求7所述的隔离腔室，其中，一第二对差分嵌件定位在第二嵌件腔室中，并限定了用于基板和半导体材料的一出口槽，该出口槽限制挥发性材料从导电材料沉积区流入第二腔室，及从第二腔室流入导电材料沉积区。

9.根据权利要求8所述的隔离腔室，其中至少一个供应端口位于第二腔室上且与第一对差分嵌件位于其中的第二腔室的内部相连通。

10.根据权利要求9所述的隔离腔室，其中至少一个供应端口位于第二腔室上且与第二对差分嵌件位于其中的第二腔室的内部相连通。

11.根据权利要求10所述的隔离腔室，其中，一惰性气体源连接至第二腔室上的至少一个供应端口。

12.根据权利要求11所述的隔离腔室，其中，真空源从半导体材料沉积区、导电材料沉积区抽取挥发物，并从第二腔室的内部抽取惰性气体，隔离腔室的第一嵌件腔室和第二嵌件腔室限制来自半导体沉积区和导电材料沉积区的挥发性材料的转移，以有效地消除在太阳电池材料的线内形成过程中的太阳电池材料的污染。

13.根据权利要求6所述的隔离腔室，其中，第二腔室的内部形成围绕第一和第二嵌件腔室的一空间，该空间处于小于第二腔室外部的大气压力的一压力下。

14.根据权利要求13所述的隔离腔室，其中第一和第二嵌件腔室处于大于或等于空间中的压力的一压力下。