[发明专利]发光陶瓷层压制件及其制造方法

权利要求书

1.一种发光陶瓷复合层压制件，包括：

至少一个包括发光材料的波长转换陶瓷层；和

至少一个基本上透明陶瓷材料的不发光层，其中该波长转换陶瓷层和不发光层在厚度方向上层压；

其中该发光陶瓷复合层压制件具有至少约0.650的波长转换效率(WCE)。

2.根据权利要求1所述的陶瓷复合层压制件，其中每个不发光层具有大于每个波长转换陶瓷层的厚度。

3.根据权利要求2所述的陶瓷复合层压制件，其中至少一个波长转换陶瓷层的总厚度与至少一个不发光层的总厚度比为约1/3或更低。

4.根据权利要求2所述的陶瓷复合层压制件，其中至少一个波长转换陶瓷层的总厚度与至少一个不发光层的总厚度比为约1/10或更低。

5.根据权利要求1所述的陶瓷复合层压制件，其中每个波长转换层和每个不发光层为烧结陶瓷带浇注层的形式。

6.根据权利要求1所述的陶瓷复合层压制件，其中所述发光材料包括基于物料流的热化学合成材料。

7.根据权利要求1所述的陶瓷复合层压制件，其中所述发光材料包括射频感应耦合热等离子体合成的YAG:Ce。

8.根据权利要求1所述的陶瓷复合层压制件，进一步包括至少一个附加的不发光层，该附加的不发光层与所述至少一个不发光层相对地层压在至少一个波长转换陶瓷层上。

9.根据权利要求1所述的陶瓷复合层压制件，其中该发光材料包括活化掺杂剂，该活化掺杂剂相对于发光材料的主要元素具有约0.05摩尔％至约10.0摩尔％的浓度，并且基本上透明陶瓷材料为非掺杂的石榴石材料。

10.一种发光器件，包括：

发光源，用于发射光路；

权利要求1所述的陶瓷复合层压制件，该陶瓷复合层压制件在该光路中邻近该发光源布置，以接收从发光源发出的光。

11.根据权利要求10所述的发光器件，其中每个不发光层具有大于每个波长转换陶瓷层的厚度。

12.根据权利要求10所述的发光器件，其中每个波长转换陶瓷层和每个不发光层为烧结陶瓷带浇注层的形式。

13.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述发光材料包括基于物料流的热化学合成的YAG:Ce。

14.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述发光材料包括射频感应耦合热等离子体合成的YAG:Ce。

15.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述波长转换陶瓷层布置在不发光层和发光源之间。

16.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述不发光层布置在波长转换陶瓷层和发光源之间。

17.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述发光材料包括活化掺杂剂，该活化掺杂剂相对于发光材料的主要元素具有约0.05摩尔％至约10.0摩尔％的浓度，并且不发光材料为非掺杂的石榴石材料。

18.根据权利要求10所述的发光器件，其中至少一个波长转换陶瓷层的总厚度与至少一个不发光层的总厚度比为约1/3或更低。

19.根据权利要求18所述的发光器件，其中至少一个波长转换陶瓷层的总厚度与至少一个不发光层的总厚度比为约1/10或更低。

20.一种制造发光YAG:Ce复合层压制件的方法，包括：

提供至少一个由不发光材料形成的浇注带和至少一个由发光材料形成的浇注带；

堆叠部分所述至少一个由不发光材料形成的浇注带和所述至少一个由发光材料形成的浇注带以形成组件；

压紧该组件以生成预制件；

加热该预制件以生成生预制件；以及

烧结该生预制件以生成发光YAG:Ce复合层压制件，其中烧结后，所述发光YAG:Ce复合层压制件具有至少约0.650的波长转换效率(WCE)。

21.根据权利要求20所述的方法，其中提供发光材料的浇注带包括提供具有烧结后测得的至少约0.650的波长效率的发光浇注带。