[发明专利]溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201180008507.6 | 申请日： | 2011-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102753721A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张守斌;小路雅弘;白井孝典 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F3/14;C22C9/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 溅射 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种溅射靶，其特征在于，该溅射靶具有如下成分组成：
含有Ga：20～40at%，并含有Na：0.05～2at%及S：0.025～1.0at%，剩余部分包括Cu及不可避免的杂质。
2.如权利要求1所述的溅射靶，其特征在于，
该溅射靶具有Na2S相分散于包括Cu和Ga的金属相基体中的组织，并且所述Na2S相的平均粒径为5μm以下。
3.如权利要求1所述的溅射靶的制作方法，其特征在于，
该制作方法具有在真空或惰性气体气氛中对Na2S粉末与Cu-Ga合金粉末的混合粉末或Na2S粉末、Cu-Ga合金粉末及纯Cu粉末的混合粉末进行热压的工序。
4.如权利要求3所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，
以500℃～800℃的热压时保持温度进行所述热压。
5.如权利要求1所述的溅射靶的制作方法，其特征在于，
该制作方法具有通过热等静压烧结Na2S粉末与Cu-Ga合金粉末的混合粉末或Na2S粉末、Cu-Ga合金粉末及纯Cu粉末的混合粉末的工序。
6.如权利要求5所述的溅射靶的制造方法，其特征在于，
以温度：500～800℃、压力：300kgf/cm2以上进行所述热等静压。
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